[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层沿第一直线的延伸方向依次设置在所述衬底的第一表面上，所述第一直线平行于所述衬底的第一表面。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述有源层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒沿第一直线的延伸方向交替设置在所述衬底的第一表面上。

3.根据权利要求2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述量子阱的数量与所述量子垒的数量相同，所述量子垒的数量为3个～15个。

4.根据权利要求1～3任一项所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层在垂直于所述衬底的第一表面的方向上的长度相等。

5.根据权利要求4所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层在垂直于所述衬底的第一表面的方向上的长度为0.02μm～2μm。

6.根据权利要求1～3任一项所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述N型半导体层在所述第一直线的延伸方向上的长度为0.02μm～2μm。

7.根据权利要求1～3任一项所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述P型半导体层在所述第一直线的延伸方向上的长度为0.02μm～2μm。

8.一种氮化镓基发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

沿第一直线的延伸方向在所述衬底的第一表面上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述第一直线平行于所述衬底的第一表面。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述沿第一直线的延伸方向在所述衬底的第一表面上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，包括：

在所述衬底的第一表面上设置第一遮挡板，所述第一遮挡板覆盖在所述有源层和所述P型半导体层的设置区域上；

在所述衬底的第一表面上生长N型半导体层；

从所述衬底的第一表面上移除所述第一遮挡板；

在所述衬底的第一表面上设置第三遮挡板，所述第三遮挡板覆盖在所述N型半导体层和所述P型半导体层的设置区域上；

在所述衬底的第一表面上生长有源层；

从所述衬底的第一表面上移除所述第三遮挡板；

在所述衬底的第一表面上设置第二遮挡板，所述第二遮挡板覆盖在所述有源层和所述N型半导体层的设置区域上；

在所述衬底的第一表面上生长P型半导体层；

从所述衬底的第一表面上移除所述第二遮挡板。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述沿第一直线的延伸方向在所述衬底的第一表面上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，包括：

采用光刻技术在所述衬底的第一表面上形成第一生长抑制层，所述第一生长抑制层位于所述有源层和所述P型半导体层的设置区域上；

在所述衬底的第一表面上生长N型半导体层；

从所述衬底的第一表面上去除所述第一生长抑制层；

采用光刻技术在所述衬底的第一表面上形成第三生长抑制层，所述第三生长抑制层位于所述N型半导体层和所述P型半导体层的设置区域上；

在所述衬底的第一表面上生长有源层；

从所述衬底的第一表面上去除所述第三生长抑制层；

采用光刻技术在所述衬底的第一表面上形成第二生长抑制层，所述第二生长抑制层位于所述有源层和所述N型半导体层的设置区域上；

在所述衬底的第一表面上生长P型半导体层；

从所述衬底的第一表面上去除所述第二生长抑制层。