[发明专利]一种光刻方法在审
| 申请号： | 201811034374.X | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109256330A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 鲁旭斋;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 表面处理工艺 衬底 光刻 半导体 工艺复杂度 光刻工艺 光阻材料 碱性基团 酸性基团 反应源 负电荷 正电荷 | ||
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层的表面附有碱性基团和/或负电荷；
对所述半导体衬底上的介质层进行表面处理工艺，所述表面处理工艺采用的反应源适于产生酸性基团和/或正电荷；
在所述表面处理工艺后，在所述介质层上涂布光阻材料，进行光刻工艺。
2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述介质层由含氮反应源制备形成。
3.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面处理工艺为等离子体表面处理工艺或酸性化学反应源表面处理工艺。
4.如权利要求3所述的光刻方法，其特征在于，所述等离子体表面处理工艺的反应源包括：氢气、烷烃、烯烃、炔烃、氯化氢，氟化氢或含氢的物质。
5.如权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，还包括：控制反应源流量和/或调整射频功率，以使等离子体密度与所述碱性基团数量和/或负电荷数量相适应。
6.如权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述等离子体表面处理工艺在表面处理装置的腔体中进行，所述反应源在腔体外或腔体内解离成等离子体。
7.如权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，还包括：通过电磁过滤装置过滤掉等离子体中的负离子。
8.如权利要求3所述的光刻方法，其特征在于，所述酸性化学反应源表面处理工艺的反应源包括：氮氧化物、氯化氢，氟化氢或二氧化碳。
9.如权利要求8所述的光刻方法，其特征在于，还包括：控制反应源流量，以使反应源的通入量与所述碱性基团数量和/或负电荷数量相适应。
10.如权利要求1至9任一项所述的光刻方法，其特征在于，还包括：在表面处理反应过程中，对形成有介质层的所述半导体衬底进行加热。
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