[发明专利]一种真空管路防护系统及方法在审
申请号: | 201811031683.1 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN110880459A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 管路 防护 系统 方法 | ||
1.一种真空管路防护系统,其特征在于,包括:
反应腔体,以及与所述反应腔体配套的主泵,前级泵和真空管路;
所述反应腔体与所述主泵密封连接,所述反应腔体内容置有第一气体;
所述主泵通过所述真空管路与所述前级泵相连接;
其中,在所述真空管路的管壁上设置有第一注入点,第二气体经所述第一注入点注入到所述真空管路中,用于将从所述反应腔体中进入所述真空管路中的所述第一气体的浓度稀释。
2.根据权利要求1所述的真空管路防护系统,其特征在于,所述第一气体包括可燃气体。
3.根据权利要求2所述的真空管路防护系统,其特征在于,经所述第二气体稀释后的所述真空管路中的所述第一气体的浓度低于其爆炸下限。
4.根据权利要求1所述的真空管路防护系统,其特征在于,所述第一注入点与气体供应源连接,所述第一注入点所述气体供应源之间设置有气体流量计。
5.根据权利要求4所述的真空管路防护系统,其特征在于,所述系统还包括第一控制台,所述第一控制台与所述气体流量计相连接,用于实时监控和调整所述第二气体经所述第一注入点注入到所述真空管路中的注入流量,并在所述第二气体的注入流量异常时控制所述反应腔体所属的机台停机。
6.根据权利要求4所述的真空管路防护系统,其特征在于,所述系统还包括流量监控模块和第二控制台,其中所述流量监控模块分别与所述第二控制台和所述气体供应源相连接,用于监控所述气体供应源的供气是否异常;所述第二控制台用于当所述气体供应源的供气出现异常时控制所述反应腔体所属的机台停机。
7.根据权利要求1所述的真空管路防护系统,其特征在于,所述真空管路包括真空管道以及密封圈,相邻两个所述真空管道通过所述密封圈密封连接;所述密封圈及其相邻的所述真空管道部分或者全部的外周部设置有防爆毯。
8.根据权利要求1所述的真空管路防护系统,其特征在于,所述前级泵的排气口与尾气处理装置相连,所述前级泵的排气口与所述尾气处理装置之间的管道上设置有第二注入点,所述第二气体经所述第二注入点注入到所述管道中用于进一步稀释经所述前级泵抽出的所述第一气体。
9.根据权利要求1所述的真空管路防护系统,其特征在于,所述第一注入点设置于所述真空管路靠近所述主泵一端的管壁上。
10.根据权利要求1-9任意一项所述的真空管路防护系统,其特征在于,所述真空管路防护系统应用于一个机台的多个反应腔体或多个机台的多个反应腔体。
11.一种真空管路防护方法,其特征在于,所述真空管路分别连接主泵和前级泵,所述主泵与反应腔体连接,所述反应腔体内容置有第一气体,所述方法包括如下步骤:
于所述真空管路的管壁上设置第二气体的第一注入点;
经所述第一注入点向所述真空管路中注入第二气体,用于将从所述反应腔体中进入所述真空管路中的第一气体浓度稀释。
12.根据权利要求11所述的真空管路防护方法,其特征在于,所述第一气体包括可燃气体;经所述第二气体稀释后的所述真空管路中的所述第一气体的浓度低于其爆炸下限。
13.根据权利要求11所述的真空管路防护方法,其特征在于,通过设置于所述第一注入点与所述第二气体的气体供应源之间的气体流量计来控制注入到所述真空管路中所述第二气体的注入流量。
14.根据权利要求13所述的真空管路防护方法,其特征在于,所述方法还包括:
第一控制台通过接收所述气体流量计的流量数据来实时监控和调整注入到所述真空管路中的所述第二气体的注入流量,当所述第二气体的注入流量异常时,通过第一控制台控制所述反应腔体所属的机台停机。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造