[发明专利]一种n型太阳能电池制备方法及n型太阳能电池

权利要求书

1.一种n型太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在n型衬底层的第一表面设置p型掺杂层；

在所述p型掺杂层表面设置选择性发射极；

对设置有所述选择性发射极的所述p型掺杂层进行氧化，以在所述p型掺杂层表面设置一覆盖所述选择性发射极的氧化层；

在设置完所述氧化层后，在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层；

在所述氧化层表面设置与所述选择性发射极相对位，且与所述选择性发射极电连接的第一栅线，并在所述n型掺杂层表面设置第二栅线，以制成所述n型太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述p型掺杂层表面设置选择性发射极包括：

在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层；

通过刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域，以制成所述选择性发射极；

在制成所述选择性发射极之后，去除所述保护层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域包括：

通过HF/HNO₃混酸刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层包括：

在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布有机蜡保护层；

所述去除所述保护层包括：

去除所述有机蜡保护层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层包括：

刻蚀并暴露所述n型衬底层的所述第二表面；

在所述n型衬底层的所述第二表面进行磷扩散，以形成所述n型掺杂层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层之后，所述方法还包括：

对设置有所述n型掺杂层的所述n型衬底层进行钝化，以在所述氧化层表面形成第一钝化层，并在所述n型掺杂层表面形成第二钝化层；

所述在所述氧化层表面设置与所述选择性发射极相对位，且与所述选择性发射极电连接的第一栅线包括：

在所述第一钝化层表面设置所述第一栅线；

所述在所述n型掺杂层表面设置第二栅线包括：

在所述第二钝化层表面设置与所述n型掺杂层电连接的所述第二栅线。

7.根据权利要求1至6任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述在n型衬底层的第一表面设置p型掺杂层包括：

在所述n型衬底层的第一表面进行硼扩散，以形成所述p型掺杂层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述n型衬底层的第一表面进行硼扩散，以形成所述p型掺杂层包括：

在所述n型衬底层的第一表面进行硼扩散，以形成所述p型掺杂层；其中，所述硼扩散的温度的取值范围为900℃至1050℃，包括端点值；所述硼扩散的时间的取值范围为10min至120min，包括端点值；所述p型掺杂层的厚度的取值范围为0.2μm至1.0μm，包括端点值。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述在所述n型衬底层的第一表面进行硼扩散之后，所述方法还包括：

刻蚀掉在所述n型衬底层的所述第二表面所形成的p型掺杂层。

10.一种n型太阳能电池，其特征在于，所述n型太阳能电池具体为采用上述权利要求1至9任一项权利要求所述方法所制备的n型太阳能电池。