[发明专利]一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法

说明书

本发明公开了一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法，该设备包括等离子体发生系统、真空排气装置、等离子真空腔体和运动装置，等离子体发生系统、真空排气装置设置在等离子真空腔体的外部，运动装置设置在等离子真空腔体的内部。该设备的使用方法包括以下步骤：等离子真空腔体进行抽真空对待镀膜产品进行预处理、镀膜等。本发明采取等离子体化学气相沉积方法提高了镀膜物质的沉降速率和镀膜生产效率，镀膜的均匀性和一致性得到改善，同时也提高涂层的防水、防汗液、防潮、耐腐蚀、耐溶剂等防护效果，可用于各种PCB、PCBA、电子产品、电器零部件、电子半成品、金属、电子元器件、半导体、集成电路板、塑胶制品等镀膜的场合。

技术领域

本发明涉及等离子体化学气相沉积技术领域，特别是涉及一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法。

背景技术

等离子体增强化学气相沉PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。实验机理：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

现有的镀膜设备和方法存在着沉降速率低、生产效率低下，镀膜均匀性和一致性差，涂层的防水、防汗液、防潮、耐腐蚀、耐溶剂等效果差等缺点，镀膜中使用的化学物质等也容易对环境造成污染，这也不符合国家对绿色发展的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法，微波等离子真空镀膜方法提高了镀膜物质的沉降速率和镀膜生产效率，且增加运动装置使镀膜的均匀性和一致性得到改善，进而提高涂层的防水、防汗液、防潮、耐腐蚀、耐溶剂等防护效果。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种微波等离子真空镀膜设备，包括等离子体发生系统、真空排气装置、等离子真空腔体和运动装置，等离子体发生系统、真空排气装置设置在等离子真空腔体的外部，运动装置设置在等离子真空腔体的内部。

所述的等离子体发生系统,包括进气口、出气口、微波放电的等离子场发生装置，进气口通过进气管道与外部气体相连，出气口和等离子真空腔体相连。

所述的等离子体发生系统的进气口有一个或一个以上进气管道。

所述的微波等离子真空镀膜设备设置有一个或一个以上等离子发生系统，每个等离子体发生系统通过管道连结到真空等离子腔体。

所述的真空排气装置包括真空泵和排气管，真空泵分一级二级，真空排气装置通过管道和等离子真空腔体相连。

所述的等离子真空腔体为圆筒形腔室、立方体形腔室或球形体腔室，容积为20-1200L。

所述的运动装置可承载放置的一个或一个以上待镀膜产品并可在等离子真空腔体内按设定的运动方式运动，其运动方式包括：空间往复运动、圆周运动、椭圆周运动、球面运动、行星运动、平面往复运到或其它不规则路线。

所述的等离子真空腔体接有真空压力检测计。

一种微波等离子真空镀膜设备的使用方法，包括以下步骤：

A、打开等离子真空腔体，将待镀膜产品放置于运动装置上，关闭等离子真空腔体；

B、启动运行程序，真空排气装置的真空泵连续对等离子真空腔体进行抽真空，当等离子真空腔体内压力达到5-200毫托时，开启运动装置；

C、进气管道通入氧气、氩气、氦气中的一种，经过等离子体发生系统形成等离子体后，然后进入真空等离子腔体对待镀膜产品进行预处理；