[发明专利]晶圆级封装方法以及封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

形成键合结构，所述键合结构包括：器件晶圆以及键合于所述器件晶圆的多个第一芯片，实现所述器件晶圆与所述第一芯片的物理连接；

在所述多个第一芯片以及第一芯片露出的所述器件晶圆上保形覆盖绝缘层；

在所述绝缘层上保形覆盖导电材料的屏蔽层；

在所述屏蔽层上形成封装层；

在形成所述封装层后，在所述器件晶圆中形成硅通孔互连结构。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述屏蔽层为金属层或合金层。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述屏蔽层的材料为银、铜、锡、铝、镍、锌和钨材料中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，通过物理气相沉积或溅射方法形成所述屏蔽层。

5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述屏蔽层的厚度在0.1～10微米的范围内。

6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，通过化学气相沉积的方法形成所述绝缘层。

8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度在0.05～5微米的范围内。

9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，通过注塑工艺形成所述封装层。

10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述屏蔽层为静电屏蔽层，形成所述封装层的步骤包括：使所述封装层部分覆盖所述屏蔽层，所述封装层所露出的所述屏蔽层为接地端。

11.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成键合结构的步骤包括：提供多个第一芯片，所述第一芯片上形成有第一键合层；

提供器件晶圆，所述器件晶圆的表面上形成有多个第二键合层；

将所述第一键合层和所述第二键合层相对设置并键合，使所述第一芯片键合于所述器件晶圆。

12.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述第一芯片形成有第一键合层的面为芯片正面，与所述芯片正面相背的面为芯片背面；

将所述第一键合层和所述第二键合层相对设置并键合之前，所述多个第一芯片的所述芯片背面临时键合于一载体晶圆；

在所述多个第一芯片以及第一芯片露出的所述器件晶圆上保形覆盖绝缘层的步骤之前，解键合所述载体晶圆。

13.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

器件晶圆；

多个第一芯片，键合于所述器件晶圆；所述器件晶圆与所述第一芯片的物理连接；

绝缘层，保形覆盖在所述多个第一芯片以及第一芯片露出的所述器件晶圆上；

导体材料的屏蔽层，保形覆盖于所述绝缘层上；

封装层，位于所述屏蔽层上；

硅通孔互连结构，位于所述器件晶圆中。

14.如权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述屏蔽层为金属层或合金层。

15.如权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述屏蔽层的厚度在0.1～10微米的范围内。

16.如权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

17.如权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘层的厚度在0.05～5微米的范围内。