[发明专利]一种P型单晶硅电池及其制造方法

权利要求书

1.一种P型单晶硅电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一P型单晶硅片，在所述P型单晶硅片的上表面形成多个平行排列的第一条形沟槽，在所述P型单晶硅片的下表面形成多个平行排列的第二条形沟槽，所述第一条形沟槽的深度与所述P型单晶硅片的厚度的比值为0.6-0.8，所述第二条形沟槽的深度与所述P型单晶硅片的厚度的比值为0.5-0.7，多个所述第一条形沟槽与多个所述第二条形沟槽在垂直方向上均不重叠，所述第一条形沟槽与相邻的所述第二条形沟槽之间单晶硅层的厚度为25-35微米；

2)接着对所述P型单晶硅片进行湿法刻蚀处理，以在所述P型单晶硅片的上表面以及所述第一条形沟槽的底部形成硅纳米线阵列；

3)接着对所述P型单晶硅片的上表面进行第一次磷扩散工艺，以在所述P型单晶硅片的上表面、所述第一条形沟槽的侧壁以及所述第一条形沟槽的底部上形成一N型磷扩散层，接着利用掩膜对所述P型单晶硅片的上表面进行第二次磷扩散工艺，以在所述P型单晶硅片上形成多个间隔设置的N型重掺杂磷扩散区，多个所述N型重掺杂磷扩散区分别设置在相应的多个所述第一条形沟槽的底部；

4)接着利用掩膜对所述P型单晶硅片的下表面进行第一次硼扩散工艺，以在所述P型单晶硅片的下表面形成多个间隔设置的P型重掺杂硼扩散区，多个所述P型重掺杂硼扩散区分别设置在相应的多个所述第二条形沟槽的底部；

5)接着在所述P型单晶硅片的上表面形成第一钝化层，并在所述P型单晶硅片的下表面形成第二钝化层；

6)接着在所述P型单晶硅片的上表面形成正面电极，并在所述P型单晶硅片的下表面形成背面电极。

2.根据权利要求1所述的P型单晶硅电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所述P型单晶硅片的厚度为250-400微米，所述第一条形沟槽以及所述第二条形沟槽的宽度均为3-4毫米，相邻所述第一条形沟槽之间的间距为9-12毫米，相邻所述第二条形沟槽之间的间距为9-12毫米。

3.根据权利要求1所述的P型单晶硅电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，所述硅纳米线阵列中单个硅纳米线的直径为200-300纳米，相邻硅纳米线的间距为150-250纳米，单个硅纳米的长度为400-600纳米。

4.根据权利要求1所述的P型单晶硅电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，多个间隔设置的所述N型重掺杂磷扩散区均位于所述第一条形沟槽的底部。

5.根据权利要求1所述的P型单晶硅电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，多个间隔设置的所述P型重掺杂硼扩散区均位于所述第二条形沟槽的底部。

6.根据权利要求1所述的P型单晶硅电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(5)中，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材质为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锆中的一种或多种，所述第一钝化层和所述第二钝化层的厚度均为300-600纳米。

7.根据权利要求1所述的P型单晶硅电池的制造方法，其特征在于：

在所述步骤(6)中，所述正面电极包括主栅线和副栅线，所述正面电极的主栅线位于所述第一条形沟槽中，所述背面电极包括主栅线和副栅线，所述背面电极的主栅线位于所述第二条形沟槽中，所述正面电极和所述背面电极的材质为银、铜、钛、钯、金以及铝中的一种或多种。

8.一种P型单晶硅电池，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制造形成的。