[发明专利]一种基于平行压电阵列的阀门泄漏声发射源定位方法在审
申请号: | 201811025496.2 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN109115409A | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 钟永腾;向家伟;陈晓宇;张政浩;蒋勇英;庞继红 | 申请(专利权)人: | 温州大学激光与光电智能制造研究院 |
主分类号: | G01M3/00 | 分类号: | G01M3/00 |
代理公司: | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人: | 陈加利 |
地址: | 325000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阀门泄漏 压电阵列 平行 声发射源定位 声发射源 有效地 多重信号分类算法 故障诊断领域 声发射信号源 极坐标转换 空间谱估计 声发射信号 特征值分解 参考阵元 大致区域 阀门故障 局部坐标 整体坐标 坐标变换 极坐标 协方差 再利用 子阵列 坐标轴 误判 阀门 减小 近场 采集 预测 | ||
本发明属于阀门泄漏故障诊断领域,具体涉及一种基于平行压电阵列的阀门泄漏声发射源定位方法。首先,利用平行压电阵列采集阀门泄漏时产生的声发射信号,其次,计算各自阵列协方差及特征值分解,通过比较特征值的大小,确定声发射信号源的大致区域,再利用近场多重信号分类算法,进行空间谱估计,在子阵列上建立的局部坐标得到与声发射源对应参考阵元的极坐标,即距离和角度,最后通过坐标变换,将局部坐标轴中的极坐标转换为整体坐标中。该方法可以有效地对阀门声发射源进行定位,有效地减小了阀门泄漏故障的误判,并为阀门故障预测提供指导。
技术领域
本发明属于阀门泄漏故障诊断领域,具体涉及一种基于平行压电阵列的阀门泄漏声发射源定位方法。
背景技术
管道系统作为国民经济中必不可少的工业设备和重要的配套设施,被广泛应用于国民经济领域和基础设施建设中。在各类管道系统中,阀门有“咽喉”之称,起着隔离设备、调节流量、防止回流、排泄压力等重要作用。对绝大多数阀门来说,泄漏是其最主要的故障形式,也是影响管道系统安全运行的首要问题。由于阀门质量或故障而产生流体的外漏或内漏,不仅造成系统的压力损失,流体的浪费,对于腐蚀性、易燃易爆性和有毒性流体的泄漏还会带来灾难性后果。
声发射检测技术是一种有效的无损检测方法,被国内外学者广泛应用于阀门泄漏检测中。但是目前所提出的方法均采用单一或稀疏传感器布置。在复杂的工程环境下,噪声总是来自四面八方,且声源信号在时间和频谱上相互交叠,再加上回波和混响的影响。基于单一传感器的故障诊断方法抗干扰能力差,提取的故障特征不稳定,而且传感器监测位置和距离对故障评估的结果影响较大,获得的信息量非常有限。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足,而提供一种基于平行压电阵列的阀门泄漏声发射源定位方法。
本发明所采取的技术方案如下:一种基于平行压电阵列的阀门泄漏声发射源定位方法,包括以下步骤:
(1)建立平行压电传感器阵列:平行压电阵列包含两列压电传感器,分别为压电阵列Ⅰ和压电阵列Ⅱ;
(2)压电阵列I、压电阵列II独立采集阀门声发射阵列信号,得到阵列Ⅰ信号和阵列Ⅱ信号;
(3)分别计算阵列I、阵列II的协方差及其特征值;
(4)判断阵列I的协方差特征值最大值与阵列II的协方差特征值最大值的大小,若阵列I的协方差特征值最大值大于阵列II的协方差特征值最大值,则利用阵列I进行空间谱估计,即声发射源位置对应的极坐标;反之,则利用阵列II进行空间谱估计,即声发射源位置对应的极坐标。
每个阵列含有M个压电陶瓷传感器,以传感器PZT0作为该阵列局部坐标的参考阵元,声发射源与参考阵元的距离和角度分别为R0和θ,源到其他阵元PZTi的距离定义为ri,压电传感器间距为d;
定义xi(t)为压电传感器阵列PZTi在时间t所接收到的声发射信号,表示为:
xi(t)=si(t)+ni(t),i=-M,…,0,L,M;
式中,ni(t)为噪声信号,M为传感器阵列I的数目,si(t)为PZTi所接收的中心频率为ω0的声发射信号,定义PZT0所接收的中心频率为ω0的声发射信号,si(t)可以表示为:
式中,τi为声发射信号到达PZTi相对于到达参考阵元PZT0的波程差,u(t-τi)为声发射信号到达PZTi相对于到达参考阵元PZT0的信号幅值,在近场情况下,u(t-τi)可以表示为:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州大学激光与光电智能制造研究院,未经温州大学激光与光电智能制造研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811025496.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。