[发明专利]一种晶圆加工设备、晶圆加工方法及其应用在审
申请号: | 201811025346.1 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN110875213A | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 吴明锋 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/304;H01L21/02;H01L21/027 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加工 设备 方法 及其 应用 | ||
1.一种晶圆加工设备,其特征在于,包括:
工作台,用于吸附晶圆,且所述晶圆具有凸出于所述工作台的晶圆背面边缘区域;
背面研磨模块,位于所述晶圆的下方,所述背面研磨模块与所述晶圆背面边缘区域相接触,用以对所述晶圆背面边缘区域进行研磨。
2.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述背面研磨模块包括N个,其中N≥2。
3.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述背面研磨模块的纵截面的形貌包括“T”字形、柱状、倒梯形及反“土”字形中的一种或组合。
4.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述背面研磨模块的研磨面的形貌包括圆形,其直径的范围包括1mm~30mm。
5.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述背面研磨模块包括Al2O3背面研磨模块。
6.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述背面研磨模块包括旋转背面研磨模块及固定背面研磨模块中的一种或组合。
7.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述工作台包括旋转工作台及固定工作台中的一种。
8.根据权利要求7所述的晶圆加工设备,其特征在于:当所述工作台采用所述旋转工作台时,所述背面研磨模块采用旋转背面研磨模块,且所述旋转背面研磨模块的旋转方向与所述晶圆的旋转方向包括相反及相同中的一种或组合。
9.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述背面研磨模块还包括驱动件,用于驱动所述背面研磨模块。
10.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述晶圆加工设备还包括喷头模块,所述喷头模块位于所述晶圆的下方,用以向所述晶圆背面边缘区域喷涂清洗液。
11.根据权利要求10所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述喷头模块包括M个喷嘴,其中M≥2。
12.根据权利要求10所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述清洗液的流速的范围包括20ml/min~150ml/min。
13.根据权利要求10所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述晶圆加工设备还包括收集槽,所述收集槽用于收集所述清洗液,且所述收集槽的底部包括排液通道。
14.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于:所述晶圆加工设备还包括用于传输所述晶圆的机械手臂,所述机械手臂包含用于承载所述晶圆的晶圆接触部。
15.一种晶圆加工方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:提供晶圆;
S2:使用晶圆加工设备对晶圆背面边缘区域进行研磨,其中所述晶圆加工设备包括工作台及背面研磨模块,所述工作台用于吸附所述晶圆,且所述晶圆背面边缘区域凸出于所述工作台;所述背面研磨模块,位于所述晶圆的下方,所述背面研磨模块与所述晶圆背面边缘区域相接触,用以对所述晶圆背面边缘区域进行研磨。
16.根据权利要求15所述的晶圆加工方法,其特征在于:所述背面研磨模块的研磨面的形貌包括圆形,其直径的范围包括1mm~30mm。
17.根据权利要求15所述的晶圆加工方法,其特征在于:所述背面研磨模块沿所述晶圆径向的研磨范围包括1mm~100mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造