[发明专利]抛光垫修整器及化学机械平坦化的方法在审
| 申请号： | 201811025287.8 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110871407A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 宋健民 | 申请（专利权）人： | 宋健民 |
| 主分类号： | B24B53/12 | 分类号： | B24B53/12;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;沈敬亭 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 修整 化学 机械 平坦 方法 | ||
1.一种用于CMP制程的抛光垫修整器，其特征在于，包含多个PcBN研磨片，每个PcBN研磨片上形成有多个研磨尖端，该研磨尖端具有足以刺入抛光垫而移除磨屑的突出高度。
2.根据权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于，该研磨尖端的平均刺入深度大于该抛光垫的气孔的平均大小。
3.根据权利要求2所述的抛光垫修整器，其特征在于，该气孔的平均大小介于30微米至60微米之间。
4.一种抛光垫修整器，其特征在于，包含多个PcBN研磨片，每个PcBN研磨片上形成有多个研磨尖端，其中，全部的该研磨尖端中，距离最高的该研磨尖端的高度差在60微米范围内的该研磨尖端的数量介于300个至5000个之间。
5.根据权利要求4所述的抛光垫修整器，其特征在于，该PcBN研磨片固定在陶瓷基体上。
6.根据权利要求4所述的抛光垫修整器，其特征在于，该PcBN研磨片分别通过调节该PcBN研磨片上的该研磨尖端的突出高度的厚度补偿塑性体结合至基座上。
7.根据权利要求6所述的抛光垫修整器，其特征在于，该厚度补偿塑性体为有机材料。
8.根据权利要求4所述的抛光垫修整器，其特征在于，该PcBN研磨片的cBN的体积百分比为至少90％。
9.根据权利要求4所述的抛光垫修整器，其特征在于，距离最高的该研磨尖端的高度差在40微米范围内的该研磨尖端的数量介于300个至1000个之间。
10.根据权利要求4所述的抛光垫修整器，其特征在于，单个PcBN研磨片上的该研磨尖端中，距离最高的该研磨尖端的高度差在40微米范围内的该研磨尖端的数量介于50个至500个之间。
11.根据权利要求4所述的抛光垫修整器，其特征在于，该研磨尖端具有尖峰，该尖峰的夹角介于40度至120度之间。
12.根据权利要求11所述的抛光垫修整器，其特征在于，该尖峰的夹角介于60度至100度之间。
13.根据权利要求12所述的抛光垫修整器，其特征在于，该尖峰的形状呈锥形或棱线。
14.根据权利要求13所述的抛光垫修整器，其特征在于，该锥形为多边锥形，该多边锥形的边数介于3至6个之间。
15.根据权利要求4所述的抛光垫修整器，其特征在于，该PcBN研磨片的外形呈方形或圆形。
16.根据权利要求4所述的抛光垫修整器，其特征在于，该研磨尖端包含磨钝的顶面，该顶面的宽度介于2微米至20微米之间。
17.根据权利要求4所述的抛光垫修整器，其特征在于，该PcBN研磨片的数量介于4个至50个之间。
18.根据权利要求17所述的抛光垫修整器，其特征在于，每个PcBN研磨片上的该研磨尖端排列形成阵列。
19.一种化学机械平坦化的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供抛光垫；
将工件设置于该抛光垫的表面，使该工件与该抛光垫相互研磨；以及
使用根据权利要求1至18中任一项所述的修整器，设置于该抛光垫的表面，移除该工件研磨后的碎屑。
20.根据权利要求19所述的化学机械平坦化的方法，其特征在于，该工件为半导体元件，该半导体元件包含一层或多层的铜膜、钨膜、氧化膜、阻挡层或它们的组合。
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