[发明专利]一种制备高纯金属钐的真空炉及其制备高纯金属钐的方法

权利要求书

1.一种制备高纯金属钐的真空炉，从上至下依次为盖板(12)、冷凝坩埚(1)、分离器(6)和坩埚(5)；所述坩埚(5)的横截面呈圆形或矩形，位于最下端；分离器(6)位于坩埚(5)之上，其形状及大小与坩埚(5)相适应，包括外壳(64)和填料(67)，外壳(64)和填料(67)之间及相邻填料(67)之间有缝隙(63)；所述填料(67)为对剖或4分的钨管构成，填料(67)按钨管的剖口纵边伸入另一钨管的剖口内、钨管的外圆弧面与另一钨管的外圆弧面相联，交替组成填料，所述外壳(64)沿钨管的纵向包裹在填料(67)的外周；有若干上通孔(41)的上筛板(4)位于分离器(6)之上；所述冷凝坩埚(1)位于上筛板(4)之上；有通孔(11)的盖板(12)盖合在冷凝坩埚(1)上。

2.一种制备高纯金属钐的方法，包括以下步骤：

步骤一，将含钐原料(9)置于坩埚(5)中，并按权利要求1所述安装好制备高纯金属钐的真空炉；

步骤二，将真空炉内抽真空；

步骤三，加热含钐原料(9)；

步骤四，控制分离器(6)温度≥400℃得到高纯金属钐；

所述高纯金属钐的纯度≥99.99wt％。

3.如权利要求2所述制备高纯金属钐的方法，其特征在于将装有含钐原料(9)的坩埚(5)加热至1200-1600℃。

4.如权利要求2所述制备高纯金属钐的方法，其特征在于所述分离器温度为400-800℃。

5.如权利要求2所述制备高纯金属钐的方法，其特征在于所述含钐原料(9)包括氧化钐、钐钆混合氧化物，以及纯度低的金属钐中至少一种。

6.如权利要求2所述制备高纯金属钐的方法，其特征在于步骤三中所述含钐原料(9)为低纯度金属钐；所述加热含钐原料(9)为将低纯度金属钐加热至≥550℃。