[发明专利]一种电压抑制器及其制备方法

权利要求书

1.一种电压抑制器，其特征在于，其包括：第一导电类型的衬底，形成在所述衬底上第一导电类型的第一外延层，形成在所述第一外延层上第二导电类型的第二外延层，在所述第一外延层的上表面向下延伸至所述第一外延层内的第二导电类型的注入区，形成在所述第二外延层的上表面的介质层，在所述第二外延层的上表面向下穿过所述第二外延层且与所述注入区连接的两个第一绝缘层、设置在两个第一绝缘层之间的第一导电类型的第一埋层和第一导电类型的第二埋层，在所述第二外延层的上表面向下且延伸至所述第一埋层的第二导电类型且与所述第二外延层电连接的第三埋层、第二导电类型的第四埋层、第一导电类型且与所述第四埋层连接的第五埋层，间隔形成在所述介质层上表面的与所述第二埋层电连接第一金属层、与所述第四埋层和所述第五埋层均电连接的第二金属层，一端与所述第一外延层电连接、另一端与所述第二金属层电连接的第三金属层，形成在所述第一金属层上的第一电极，形成在所述衬底上的第二电极。

2.根据权利要求1所述的电压抑制器，其特征在于：所述电压抑制器还包括第二导电类型的第六埋层，所述第六埋层设置在所述第二外延层上且与所述第一金属层电连接。

3.根据权利要求2所述的电压抑制器，其特征在于：所述第六埋层的离子浓度大于所述第二外延层的离子浓度，所述第二埋层的离子浓度大于所述第一埋层的离子浓度。

4.根据权利要求3所述的电压抑制器，其特征在于：所述第三埋层和所述第四埋层的离子浓度均与所述第六埋层的离子浓度相等，所述第二埋层的离子浓度与所述第五埋层的离子浓度相等。

5.根据权利要求4所述的电压抑制器，其特征在于：所述电压抑制器还包括两个第二绝缘层，两个第二绝缘层穿过所述第二外延层与所述第一外延层电性连接，所述第六埋层设置在两个第二绝缘层之间。

6.根据权利要求5所述的电压抑制器，其特征在于：所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为氧化硅层。

7.根据权利要求1所述的电压抑制器，其特征在于：所述电压抑制器还包括第四金属层，所述第四金属层设置在所述衬底的下表面上，所述第二电极与所述第四金属层电连接。

8.一种电压抑制器的制备方法，其特征在于，包括步骤：

步骤S1、先准备一第一导电类型的衬底，在该衬底上形成第一导电类型的第一外延层，在该第一外延层上注入形成第二导电类型的注入区；

步骤S2、在所述第一外延层和所述注入区上制备第二导电类型的第二外延层；

步骤S3、在所述第二外延层上刻蚀形成至少两个第一沟槽，所述第一沟槽穿过所述第二外延层，且所述第一沟槽的底部与所述第一外延层接触；

步骤S4、在所述第一沟槽内填充第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均有两个，且所述第一绝缘层穿过所述注入区；

步骤S5、在所述第二外延层上形成第一埋层，且所述第一埋层位于两个第一绝缘层之间；

步骤S6、在所述第二外延层上注入形成第二埋层，所述第二埋层位于两个第一绝缘层之间；

步骤S7、在所述第二外延层上形成介质层，所述介质层与所述第一埋层、所述第二埋层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层连接；

步骤S8、在所述介质层上刻蚀形成第二沟槽，所述第二沟槽穿过所述第二外延层与所述第一外延层连接；

步骤S9、在所述介质层上刻蚀形成多个第三沟槽，所述第三沟槽分别与所述第一埋层和所述第二埋层连接；

步骤S10、在所述第二沟槽内、所述第三沟槽内和所述介质层上形成第一金属层、第二金属层和第三金属层，且使所述第二埋层与所述第一金属层电性连接，所述第一埋层与所述第二金属层电性连接，所述第三金属层与所述第二金属层电性连接，所述第三金属层穿过所述第二外延层与所述第一外延层电性连接。

9.根据权利要求8所述电压抑制器的制备方法，其特征在于，其还包括步骤S11、所述第二外延层的上表面向下形成第二导电类型的第六埋层，所述第六埋层位于两个第二绝缘层之间且与所述第一金属层电连接。

10.根据权利要求9所述电压抑制器的制备方法，其特征在于，在所述步骤S6中，所述第二埋层的离子注入浓度为所述第一埋层离子注入浓度的10倍。