[发明专利]一种基于柠檬酸/SnO2 有效
申请号: | 201811022717.0 | 申请日: | 2018-09-03 |
公开(公告)号: | CN109216557B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 赵奎;牛天启;陆静;刘生忠 | 申请(专利权)人: | 陕西师范大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710119 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 柠檬酸 sno base sub | ||
1.一种基于柠檬酸/SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,该太阳能电池的结构从下至上依次为FTO玻璃衬底、柠檬酸/SnO2电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和电极;其中,柠檬酸/SnO2电子传输层为柠檬酸和SnO2的聚酯化络合物;
S1、清洗并干燥FTO玻璃基底,作为FTO玻璃衬底备用;
S2、按照SnO2胶体溶液与超纯水体积比为1:(3~4),配制SnO2胶体溶液的稀释溶液;等体积混合柠檬酸水溶液和SnO2胶体溶液的稀释溶液,搅拌后得到柠檬酸/SnO2络合物溶液,作为柠檬酸-SnO2前驱液;
S3、在FTO玻璃衬底上留出正极位置,将柠檬酸-SnO2前驱液涂布在FTO玻璃衬底上,制得柠檬酸/SnO2电子传输层;
S4、在柠檬酸/SnO2电子传输层上制备钙钛矿吸收层薄膜;
S5、在钙钛矿吸收层上制备Spiro-OMeTAD空穴传输层;
S6、在Spiro-OMeTAD空穴传输层和FTO玻璃衬底留出的正极位置上蒸镀电极,制得基于柠檬酸/SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池。
2.一种基于柠檬酸/SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、清洗并干燥FTO玻璃基底,作为FTO玻璃衬底备用;
S2、按照SnO2胶体溶液与超纯水体积比为1:(3~4),配制SnO2胶体溶液的稀释溶液;等体积混合柠檬酸水溶液和SnO2胶体溶液的稀释溶液,搅拌后得到柠檬酸/SnO2络合物溶液,作为柠檬酸-SnO2前驱液;
S3、在FTO玻璃衬底上留出正极位置,将柠檬酸-SnO2前驱液涂布在FTO玻璃衬底上,制得柠檬酸/SnO2电子传输层;
S4、在柠檬酸/SnO2电子传输层上制备钙钛矿吸收层薄膜;
S5、在钙钛矿吸收层上制备Spiro-OMeTAD空穴传输层;
S6、在Spiro-OMeTAD空穴传输层和FTO玻璃衬底留出的正极位置上蒸镀电极,制得基于柠檬酸/SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池。
3.根据权利要求2所述的一种基于柠檬酸/SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S1中,分别使用丙酮、异丙醇、乙醇和超纯水超声清洗FTO玻璃基底,每类清洗液清洗时间20min;清洗后用氮气吹干,作为FTO玻璃衬底备用。
4.根据权利要求2所述的一种基于柠檬酸/SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S2中,柠檬酸水溶液浓度为0.5~10mg/mL,混合柠檬酸水溶液和SnO2胶体溶液的稀释溶液后,60~80℃下搅拌4~6小时,制得柠檬酸/SnO2络合物溶液。
5.根据权利要求2所述的一种基于柠檬酸/SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S3中,将柠檬酸-SnO2前驱液通过旋涂法涂布在FTO玻璃衬底上,旋涂速度为3000~6000rpm,旋涂时间为30~60s;旋涂后制得柠檬酸/SnO2电子传输层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西师范大学,未经陕西师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811022717.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
- 碳涂覆的阳极材料
- 一种SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>复合压敏陶瓷及制备方法
- 一种La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- 一种La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>/SnO<sub>2</sub>复合纳米结构、其制备方法及用途
- 一种SnO<sub>2</sub>纳米线阵列的制备方法
- 异质结二氧化锡气敏材料的制备方法及其产品和应用
- 分级结构的SnO2气敏材料及其制备方法
- 一种山茶花状ZnO/SnO-SnO<base:Sub>2
- 低电阻率Ag/SnO2电工触头材料及其制备