[发明专利]用于PFC应用的封装的快速反向二极管组件

权利要求书

1.一种封装的半导体器件，包括：

第一封装端子；

管芯附接片，其中所述管芯附接片被耦接到所述第一封装端子；

N沟道场效应晶体管NFET管芯，其中所述NFET管芯具有顶侧栅极电极、顶侧源极电极和底侧漏极电极，其中所述底侧漏极电极安装到所述管芯附接片；

反向二极管管芯，其中所述反向二极管管芯包括：

底侧P型硅区域，从所述反向二极管管芯的底部半导体表面向上延伸，并且还横向向外延伸到所述反向二极管管芯的外围侧边缘；

N-型硅区域，设置在所述底侧P型硅区域上方；

N型耗尽停止区域，从顶部半导体表面向下延伸并延伸到N-型硅区域中；

P+型电荷载流子提取区域，从顶部半导体表面向下延伸并延伸到N型耗尽停止区域中；

N+型接触区域，从顶部半导体表面向下延伸并延伸到N型耗尽停止区域中；

P型硅外围侧壁区域，从顶部半导体表面向下延伸到N-型硅区域中，其中P型硅外围侧壁区域接合底侧P型硅区域，从而形成P型隔离结构，其中P型硅外围侧壁区域还横向环绕N-型硅区域并将N-型硅区域与反向二极管管芯的外围侧边缘分开；

顶侧阴极电极，设置在N+型接触区域上和P+型电荷载流子提取区域上；以及

底侧阳极电极，设置在反向二极管管芯的底部半导体表面上，其中所述底侧阳极电极安装到所述管芯附接片；

第二封装端子，所述第二封装端子被耦接到NFET管芯的顶侧栅极电极；

第三封装端子，所述第三封装端子被耦接到NFET管芯的顶侧源极电极；

第四封装端子，所述第四封装端子被耦接到反向二极管管芯的顶侧阴极电极；以及

一定量的密封剂，所述一定量的密封剂将NFET管芯和反向二极管管芯封装在第一封装端子的管芯附接片部分和管芯附接片上，

其中所述反向二极管管芯在450伏的静态反向阻断条件下具有小于100微安的反向漏电流(I_lk)。

2.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中所述第一封装端子是所述管芯附接片的延伸，其中所述第一封装端子和所述管芯附接片是单片冲压金属的两个部分。

3.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中所述第一封装端子接合到所述管芯附接片。

4.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中所述第一封装端子经由接合线被耦接到所述管芯附接片。

5.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中所述封装的半导体器件具有四个且不超过四个的封装端子。

6.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中所述反向二极管管芯符合以下各项：1)在10安培的大电流正向导通条件下的小于1.5伏的小正向压降(V_f)，2)当反向二极管管芯从大电流正向电流导通条件向100伏的反向电压条件切换时的小于5安培的峰值反向恢复电流(I_rr)，3)至少550伏的反向击穿电压(V_br)承受能力，以及4)在450伏的静态反向阻断条件下的小于100微安的反向漏电流(I_lk)。

7.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中所述NFET管芯的击穿电压(BV_DSS)为至少550伏。