[发明专利]一种基于质子直线加速器的中子俘获治疗系统

权利要求书

1.一种基于质子直线加速器的中子俘获治疗系统，其特征在于，包括：

质子产生段(100)，用于产生强流质子束；

质子加速段(200)，用于对质子束进行加速和输运，与所述质子产生段(100)连接；

质子应用段(300)，包括生产应用系统(310)和中子俘获治疗系统(320)，所述生产应用系统(310)用于放射性核素生产和提取，所述中子俘获治疗系统(320)用于人体肿瘤外照射，所述生产应用系统(310)及所述中子俘获治疗系统(320)分别与所述质子加速段(200)连接；

控制系统(400)，分别与所述质子产生段(100)、所述质子加速段(200)和所述质子应用段(300)电信号连接。

2.根据权利要求1所述的基于质子直线加速器的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述质子加速段(200)包括射频四极场直线加速器系统(210)、漂移管直线加速器系统(220)和射频功率源(230)，所述射频四极场直线加速器系统(210)与所述质子产生段(100)连接，所述漂移管直线加速器系统(220)与所述射频四极场直线加速器系统(210)连接，所述射频四极场直线加速器系统(210)及所述漂移管直线加速器系统(220)分别与所述射频功率源(230)连接。

3.根据权利要求2所述的基于质子直线加速器的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述射频四极场直线加速器系统(210)，包括：低能传输段(211)、RFQ加速器(212)、中能传输段(213)；所述低能传输段(211)与所述质子产生段(100)连接，所述RFQ加速器(212)与所述低能传输段(211)及所述射频功率源(230)连接，所述中能传输段(213)与所述RFQ加速器(212)及所述漂移管直线加速器系统(220)连接，所述低能传输段(211)、所述RFQ加速器(212)、所述中能传输段(213)分别与所述控制系统(400)电信号连接。

4.根据权利要求3所述的基于质子直线加速器的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述低能传输段(211)，包括：第一螺线管透镜、第一导向磁铁、第二导向磁铁和第二螺线管透镜；所述第一螺线管透镜与所述质子产生段(100)连接，所述第一导向磁铁与所述第一螺旋透镜连接，所述第二导向磁铁与所述第一导向磁铁连接，所述第二螺线管透镜与所述第二导向磁铁连接。

5.根据权利要求2所述的基于质子直线加速器的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述漂移管直线加速器系统(220)，包括：DTL加速器(221)、高能传输段(222)、束流切换系统(223)；所述DTL加速器(221)与所述射频四极场直线加速器系统(210)及所述射频功率源(230)连接，所述高能传输段(222)与所述DTL加速器(221)连接，所述束流切换系统(223)与所述高能传输段(222)连接，所述DTL加速器(221)、所述高能传输段(222)、所述束流切换系统(223)分别与所述控制系统(400)连接。

6.根据权利要求2所述的基于质子直线加速器的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述射频功率源(230)，包括：高频发射机、同轴馈管、功率耦合环和射频功率源冷却系统；所述同轴馈管与所述高频发射机连接，所述功率耦合环分别与所述同轴馈管、所述RFQ加速器(212)和所述DTL加速器(221)连接，所述射频功率源冷却系统设于所述射频功率源(230)内部。

7.根据权利要求1所述的基于质子直线加速器的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述生产应用系统(310)的数量为至少一个，所述中子俘获治疗系统(320)的数量为至少二个。

8.根据权利要求1所述的基于质子直线加速器的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述生产应用系统(310)，包括生产传输段(311)、生产应用装置(312)；所述生产传输段(311)与所述漂移管直线加速器系统(220)连接，所述生产应用装置(312)与所述生产传输段(311)连接，所述生产传输段(311)及所述生产应用装置(312)分别与所述控制系统(400)电信号连接。