[发明专利]显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201811016561.5 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109119450B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 姜妮;吴小会 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 刘小鹤 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 面板 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:
衬底基板以及设置在所述衬底基板上的显示单元,所述显示单元包括:依次设置的阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极,所述空穴传输层的表面具有多个纳米凹槽,以增加所述空穴传输层与所述有机发光层的接触面积;
所述显示单元位于所述衬底基板的显示区域中,所述衬底基板还具有非显示区域,所述显示基板还包括:设置在所述非显示区域中的应力释放层,所述应力释放层的表面具有多个纳米凹槽,所述应力释放层与所述空穴传输层通过同一次工艺形成;
其中,所述多个纳米凹槽中任意相邻的两个纳米凹槽之间的距离的数量级为纳米级。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述纳米凹槽为半球形纳米凹槽。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述空穴传输层的最大厚度的取值范围为10纳米~50纳米。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述应力释放层的最大厚度与所述空穴传输层的最大厚度相等。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述应力释放层的形成材料和所述空穴传输层的形成材料均为聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,每个所述纳米凹槽的深度的取值范围为3纳米至40纳米,所述多个纳米凹槽中任意相邻的两个纳米凹槽之间的距离的取值范围为5纳米至50纳米;
其中,所述纳米凹槽的深度是指所述纳米凹槽的开口面与所述纳米凹槽的底面之间的最大距离,所述相邻的两个纳米凹槽之间的距离是指所述相邻的两个纳米凹槽之间的最小距离。
7.一种显示基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成阳极;
在形成有所述阳极的衬底基板上形成空穴传输层;
在形成有所述空穴传输层的衬底基板上依次形成有机发光层、电子传输层和阴极,所述阳极、所述空穴传输层、所述有机发光层、所述电子传输层和所述阴极构成显示单元,其中,所述空穴传输层的表面具有多个纳米凹槽,以增加所述空穴传输层与所述有机发光层的接触面积;
所述显示单元位于所述衬底基板的显示区域中,所述衬底基板还具有非显示区域,所述显示基板还包括:设置在所述非显示区域中,且与所述空穴传输层通过同一次工艺形成的应力释放层,所述应力释放层的表面具有多个纳米凹槽;
其中,所述多个纳米凹槽中任意相邻的两个纳米凹槽之间的距离的数量级为纳米级。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述纳米凹槽为半球形纳米凹槽。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在形成有所述阳极的衬底基板上形成空穴传输层,包括:
在形成有所述阳极的衬底基板上形成聚苯乙烯单层膜,所述聚苯乙烯单层膜中包括多个聚苯乙烯球体,所述多个聚苯乙烯球体中任意相邻的两个聚苯乙烯球体之间的距离的数量级为纳米级;
在形成有所述聚苯乙烯单层膜的衬底基板上形成聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸层,使所述聚苯乙烯单层膜中的聚苯乙烯球体浮于所述聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸层的表面;
对所述聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸层进行干燥处理;
采用甲苯对干燥后的所述聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸层的表面进行清洗,以去除所述聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸层表面的聚苯乙烯球体,在所述聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸层的表面形成多个纳米凹槽;
通过一次构图工艺对清洗后的所述聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸层进行处理,得到所述空穴传输层。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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