[发明专利]LED与OLED串联的白光发光芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED与OLED串联的白光发光芯片，其特征在于，包括：衬底(1)；蓝光LED结构，形成在所述衬底(1)上，包括N电极(7)；OLED结构，形成在所述蓝光LED结构上，包括第二透明导电层(16)；其中，所述蓝光LED结构的N电极(7)与所述OLED结构的第二透明导电层(16)电性互联。

2.根据权利要求1所述的LED与OLED串联的白光发光芯片，其特征在于，所述衬底(1)为蓝宝石衬底、SiC衬底、Si衬底或GaN衬底。

3.根据权利要求1所述的LED与OLED串联的白光发光芯片，其特征在于，所述蓝光LED结构还包括：μ-GaN层(2)，生长在所述衬底(1)上；n-GaN层(3)，生长在所述μ-GaN层(2)上；多量子阱发光层(4)，生长在所述n-GaN层(3)上；p-GaN层(5)，生长在所述多量子阱发光层(4)上；第一透明导电层(6)，制备于所述p-GaN层(5)上；P电极(8)，光刻在台面上，其中，所述台面为在所述n-GaN层(3)上刻蚀掉部分多量子阱发光层(4)和p-GaN层(5)之后露出n-GaN层(3)部分；分布式布拉格反射层(9)，包围在所述蓝光LED结构外围。

4.根据权利要求1所述的LED与OLED串联的白光发光芯片，其特征在于，所述OLED结构还包括：空穴传输层(10)，生长在所述透明导电层(6)上；黄色发光层(11)，生长在所述空穴传输层(10)上；电子传输层(12)，生长在所述黄色发光层(11)上；金属阴极Al(13)，制备于所述电子传输层(12)上。

5.根据权利要求1所述的LED与OLED串联的白光发光芯片，其特征在于，所述发光芯片还包括：UV封装胶(14)，涂敷于芯片四周；玻璃盖板(15)，压合、UV固化于所述芯片上表面。

6.一种LED与OLED串联的白光发光芯片制备方法，其特征在于，包括：

制作蓝光LED结构的N电极(7)、P电极(8)和分布式布拉格反射层(9)，并在N电极(7)和P电极(8)处刻蚀孔洞；

制作OLED结构的第二透明导电层(16)，并通过所述孔洞与LED结构的N电极(7)电性互联。

7.根据权利要求6所述的LED与OLED串联的白光发光芯片制备方法，其特征在于，制作蓝光LED结构的PN电极之前还包括：

在衬底(1)上制备GaN外延片；

对GaN外延片进行ICP台面刻蚀，获得独立的蓝光LED结构；

在所述蓝光LED结构的P台面上制备第一透明导电层(6)。

8.根据权利要求6所述的LED与OLED串联的白光发光芯片制备方法，其特征在于，制作OLED结构的第二透明导电层(16)之后还包括：

在衬底背面进行磨抛减薄；

制作所述OLED结构的各功能层；

对衬底进行激光切割，获得独立的LED与OLED串联的白光发光芯片；

对所述发光芯片进行封装。

9.根据权利要求7所述的LED与OLED串联的白光发光芯片制备方法，其特征在于，所述制备GaN外延片包括：从下至上依次生长μ-GaN层(2)、n-GaN层(3)、多量子阱发光层(4)和p-GaN层(5)。

10.根据权利要求8所述的LED与OLED串联的白光发光芯片制备方法，其特征在于，所述制作所述OLED结构的各功能层包括：从下至上依次制备空穴传输层(10)、黄色发光层(11)、电子传输层(12)和金属阴极Al(13)。