[发明专利]有机发光二极管显示面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811010398.1 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN109300910B 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 曹君;徐湘伦 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/84
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示 面板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管显示面板,包括一显示区域和一非显示区域,所述显示区域用于显示影像,所述非显示区域围绕所述显示区域,其特征在于,所述显示面板包括:

一薄膜晶体管阵列基板,其在所述非显示区域上包括一绝缘层叠构,所述绝缘层叠构包括若干个层叠的绝缘层;

若干个有机发光单元,设置于所述薄膜晶体管阵列基板上,位于所述显示区域中;

一第一挡墙,设置于所述薄膜晶体管阵列基板上,所述第一挡墙位于所述非显示区域且围绕所述显示区域;

一第二挡墙,设置于所述薄膜晶体管阵列基板上,所述第二挡墙位于所述非显示区域且围绕所述第一挡墙,所述第一挡墙和所述第二挡墙相距一段距离,所述第一挡墙和所述第二挡墙构成一环形结构,在所述环形结构上定义有一直边区和一拐角区;

一沟槽,设置于所述环形结构的所述直边区,位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间,所述沟槽设置于所述薄膜晶体管阵列基板之所述绝缘层叠构中,具有一暴露之开口,所述薄膜晶体管阵列基板在所述直边区的高度低于在所述拐角区的高度;以及

一薄膜封装结构,具有交叠的一或多个有机层和一或多个无机层,所述薄膜封装结构覆盖所述薄膜晶体管阵列基板、所述若干个有机发光单元、所述第一挡墙、所述第二挡墙及设置于所述环形结构之所述直边区的所述沟槽暴露之所述开口。

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述第一挡墙包括一第一闭环结构,所述第二挡墙包括一第二闭环结构,所述第一闭环结构设置于所述第二闭环结构内,所述沟槽设置于所述第一闭环结构和所述第二闭环结构之间。

3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述沟槽具有一侧壁及一底壁,所述沟槽的所述侧壁及所述底壁邻接所述绝缘层叠构的所述若干个绝缘层中的至少一绝缘层。

4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述沟槽具有一侧壁及一底壁,所述沟槽的所述侧壁邻接所述绝缘层叠构的所述若干个绝缘层中的其中一绝缘层,所述沟槽的所述底壁邻接所述绝缘层叠构的所述若干个绝缘层中的另一绝缘层。

5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述薄膜晶体管阵列基板的所述绝缘层叠构所包括的若干个绝缘层依序包括一栅极绝缘层、一第一层间绝缘层及一第二层间绝缘层,所述第二层间绝缘层为所述绝缘层叠构中最外侧的绝缘层。

6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于:所述沟槽的深度为所述第二层间绝缘层的厚度。

7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于:所述沟槽的深度为所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的总厚度。

8.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于:所述沟槽的深度为所述栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的总厚度。

9.一种有机发光二极管显示面板的制造方法,所述显示面板包括一显示区域和一非显示区域,所述显示区域用于显示影像,所述非显示区域围绕所述显示区域,其特征在于,所述方法包括:

形成一薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板在所述非显示区域上包括一绝缘层叠构,所述绝缘层叠构包括若干个层叠的绝缘层;

于所述显示区域中、所述薄膜晶体管阵列基板上设置若干个有机发光单元;

去除所述非显示区域中、所述薄膜晶体管阵列基板之所述绝缘层叠构所包括的所述若干个绝缘层中的至少一绝缘层,以形成一沟槽,所述沟槽具有一暴露之开口;

于所述非显示区域中、所述薄膜晶体管阵列基板上设置一第一挡墙和一第二挡墙,所述第一挡墙和所述第二挡墙构成一环形结构,在所述环形结构上定义有一直边区和一拐角区,所述沟槽设置于所述环形结构的所述直边区,且位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间;

形成具有交叠的一或多个有机层和一或多个无机层的一薄膜封装结构,以覆盖所述薄膜晶体管阵列基板、所述若干个有机发光单元、所述第一挡墙、所述第二挡墙及设置于所述环形结构之所述直边区的所述沟槽暴露之所述开口。

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