[发明专利]掩膜版、显示基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制作方法，该掩膜版包括：透明衬底以及设置于所述透明衬底上的遮光层，所述遮光层上具有第一开口图形；所述透明衬底包括：第一区域，所述第一区域在所述遮光层上的正投影与所述第一开口图形重叠，所述第一区域的至少部分边缘区域具有光线汇聚结构，所述光线汇聚结构用于将入射至所述至少部分边缘区域的光线向所述第一开口图形的中心区域汇聚。本发明中，通过在掩膜版的开口的边缘区域设置光线汇聚结构，可以将入射至开口的边缘区域的光线向开口的中心区域汇聚，补偿中心区域欠缺的光强度，避免形成火山口形貌的膜层图形。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜版、显示基板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)以其具有高画质、高空间利用率、低消耗功率、无辐射等众多优点成为市场的主流。在液晶显示面板中，彩膜基板和阵列基板相对设置形成液晶盒，为保证液晶盒的盒厚的均一性，隔垫物(Photo Spacer，PS)起到重要的作用。

目前使用半透膜掩膜板(Half-tone Mask)制作隔垫物时，Half-Tone Mask开口处的光透过率为确定的数值。当曝光间隙(Gap)一定时(图1中gap＝200μm)，透过不同Half-Tone Mask开口的光强度分布如图1所示。当Half-Tone Mask开口大小为30μm或35μm时，入射光靠近开口两端处的光强度最弱，在开口两端向中间位置过渡过程中，光强度逐渐增强，但是，从图1可以看出，透过其开口中心区域的光强度反而会比相邻区域弱，此特殊的光强度分布会使得隔垫物呈现火山口形貌，且Mask CD越大，隔垫物火山口越严重。

图2-4为实际不同Half-Tone Mask开口下形成的隔垫物形貌。从图2-4可以看出，Half-Tone Mask开口为25μm时，隔垫物形貌正常；开口增大至30μm和35μm时，隔垫物形貌出现火山口形貌，且开口越大，形貌越差。

由于火山口形貌的隔垫物在支撑作用上会大打折扣，会造成Touch Mura等力学不良，影响产品品质。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制作方法，用于解决利用目前的掩膜版形成的膜层图形容易出现火山口形貌的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜版，包括：

透明衬底，以及，设置于所述透明衬底上的遮光层，所述遮光层上具有第一开口图形；

所述透明衬底包括：第一区域，所述第一区域在所述遮光层上的正投影与所述第一开口图形重叠，所述第一区域的至少部分边缘区域具有光线汇聚结构，所述光线汇聚结构用于将入射至所述至少部分边缘区域的光线向所述第一开口图形的中心区域汇聚。

可选的，所述第一开口图形的横截面形状为矩形或圆形，所述第一开口图形的中心区域的宽度为所述第一开口图形的宽度的2/5～4/5。

可选的，所述光线汇聚结构为开设于所述第一区域的顶面的凹槽，所述顶面为所述第一区域的远离所述第一开口图形的一侧表面。

可选的，所述第一区域为长方体或圆柱体，所述凹槽的纵截面形状为直角三角形，所述直角三角形的第一直角边位于所述第一区域的顶面上，第二直角边垂直于所述第一区域的顶面。

可选的，所述第二直角边位于所述长方体或圆柱体的侧面上。

可选的，采用如下公式确定所述直角三角形的尺寸：

Tanα＝y/x；

Sinα/Sinβ＝n；

Tan(α-β)＝L1/(h-y)；

Tan(α-β)＝(L1+L2-x)/h；