[发明专利]一种寒地玉米地膜覆盖抗逆丰产种植方法

权利要求书

1.一种寒地玉米地膜覆盖抗逆丰产种植方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，秋季封冻前，选择地势平坦、保水保肥性能好、耕层深厚、排灌方便的地块深耕30-40cm，按10-14t/hm²的量均匀施撒腐熟有机肥，再耕翻一次，深度10-20cm；

S2，第二年春，整平耙细并起垄，垄宽110-130cm，按照400kg/hm²均匀施撒基肥，喷施除草剂，覆盖地膜，地膜四周设置在垄沟中并用土压紧，当耕层10cm的平均地温稳定在10-12℃时，将预处理后的玉米种子2行采用地膜上破孔播种于垄上；

S2中玉米种子预处理方式为：浓度为60g/L的戊唑醇悬浮种衣剂拌种玉米种子，种衣剂的用法为1g拌种50g种子；

其中，基肥由硫酸钾、尿素、硫酸锌、过磷酸钙混合而成；

基肥中硫酸钾、尿素、硫酸锌、过磷酸钙的质量比为5:3:0.2:2；

S3，玉米出芽后，按4-5g/棵的量根施抗逆性肥料；

其中，抗逆性肥料由沼泽淤泥、饼粕、硼砂、贝壳粉、苹果酸、腐殖酸、大蒜、艾草以质量比5:2:0.5:1:1.3:2:0.7:0.9混合而成；

S4，玉米拔节中期按300-400kg/hm²根施尿素；拔节后到大喇叭口期，往垄沟中灌水，保持垄上土壤含水量70％-80％；花期隔行去雄；

S1中地块为前茬种植了大豆或玉米的地块。

2.如权利要求1所述的寒地玉米地膜覆盖抗逆丰产种植方法，其特征在于，S2中除草剂为乙·莠·滴辛酯。

3.如权利要求1所述的寒地玉米地膜覆盖抗逆丰产种植方法，其特征在于，S2中玉米种子播种的株距为22cm，垄上行距40cm，覆土深度为3-5cm。

4.如权利要求1所述的寒地玉米地膜覆盖抗逆丰产种植方法，其特征在于，地膜为聚乙烯可降解透明膜，厚度为0.05mm。