[发明专利]一种集成肖特基二极管的碳化硅槽栅MOS器件在审
| 申请号： | 201811008629.5 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109148591A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;张科;何清源;廖天;樊雕;方健;杨霏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/872;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 槽栅 肖特基二极管 碳化硅 反向恢复时 导通压降 反向恢复 减小 功率半导体技术 肖特基接触 续流二极管 二极管 双极器件 体二极管 电荷 保护区 传统体 高电场 耐压 续流 耗尽 | ||
1.一种集成肖特基二极管的碳化硅槽栅MOS器件，包括栅极结构、源极结构、N型衬底(1)、漂移区(2)和金属(9)；其中，漂移区(2)位于N型衬底(1)上表面，金属(9)位于漂移区(2)上层中部，在金属(9)两侧，具有呈对称设置的源极结构和栅极结构，栅极结构位于靠近金属(9)的一侧，源极结构位于漂移区(2)上层两侧；
所述源极结构包括P型阱区(3)以及位于P型阱区(3)上层，且并列设置的N型源区(5)和P型体接触区(4)，N型源区(5)与栅极结构接触，所述N型源区(5)和P型体接触区(4)共同引出端为源极；P型阱区(3)靠近栅极结构一侧形成沟道区；
所述栅极结构包括栅绝缘层(6)、位于栅绝缘层(6)内的栅电极(7)和位于栅绝缘层(6)底部的P+型保护区(8)，所述栅电极(7)引出端为栅极，P+型保护区(8)与源极电气连接；
所述N型衬底(1)底部引出漏极；
所述金属(9)与漂移区(2)在接触面处形成肖特基接触，在器件反向导通时用作续流二极管。
2.根据权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的碳化硅槽栅MOS器件，其特征在于，金属(9)与N型漂移区(2)所形成的肖特基接触面位于栅绝缘层底部一侧，其深度与槽栅深度相同。
3.根据权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的碳化硅槽栅MOS器件，其特征在于，金属(9)与N型漂移区(2)所形成的肖特基接触位于器件表面。
4.根据权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的碳化硅槽栅MOS器件，其特征在于，金属(9)与N型漂移区(2)所形成的肖特基接触位于器件表面，且金属(9)与栅极结构之间有间距，P+型保护区(8)沿栅极结构侧面延伸至金属(9)侧面的垂直边沿。
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