[发明专利]一种纳米阵列复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种纳米阵列复合材料的制备方法，其特征在于，包括：

S1)将纳米聚苯乙烯小球乳液与稀释剂混合，得到稀释液；

S2)将所述稀释液在二维材料表面铺展，干燥后，得到纳米阵列模板；

S3)在所述纳米阵列模板上沉积金属，除去纳米聚苯乙烯小球后，得到纳米阵列复合材料；

或者：

S2′)将所述稀释液在衬底表面铺展，干燥后，得到第二纳米阵列模板；

S3′)在所述第二纳米阵列模板上沉积第二金属，除去纳米聚苯乙烯小球后，得到纳米阵列；

S4′)将第二二维材料转移至所述纳米阵列表面，得到纳米阵列复合材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米聚苯乙烯小球乳液的固含量为0.5％～2％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米聚苯乙烯小球乳液与稀释剂的体积比为1：(1～2.5)。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二维材料与第二二维材料各自独立地选自石墨烯、硅烯、锗烯、黑磷、氮化硼、过渡金属硫族化合物、金属碳化物、金属氮化物与拓扑绝缘体中的一种或多种。

5.根据权要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2)具体为：

将所述稀释液滴至倾斜的二维材料表面铺展，干燥后，得到纳米阵列模板；

所述步骤S2′)具体为：

将所述稀释液滴至倾斜的衬底表面铺展，干燥后，得到纳米阵列模板。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述二维材料的倾斜度为1°～5°；所述衬底的倾斜度为1°～5°。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2)中干燥的温度为10℃～40℃；所述干燥的相对湿度为20％～40％；

所述步骤S2′)中干燥的温度为10℃～40℃；所述干燥的相对湿度为20％～40％。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3)中沉积金属的厚度小于等于200nm；

所述步骤S3′)中沉积第二金属的厚度小于等于200nm。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3)中除去纳米聚苯乙烯小球的方法为煅烧或有机溶剂浸泡；

所述步骤S3′)中除去纳米聚苯乙烯小球的方法为煅烧或有机溶剂浸泡。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二维材料设置于衬底表面；所述衬底选自金属单质、金属合金、金属氧化物、硅、氧化硅、金属硅化物、碳化硅、金属碳化物、玻璃、石英、云母、金属有机物或高分子聚合物。