[发明专利]一种防潮高透明度的类金刚石涂层的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811008088.6 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN109097735A 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 廖斌;欧阳潇;欧阳晓平;左帅;罗军;张旭;吴先映;韩然 申请(专利权)人: 北京师范大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58;C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100875 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 沉积 高透明度 磁过滤 核探测 防潮 潮解 面型 制备 等离子体 阴极 致密 类金刚石涂层 可见光 低能气体 高透光率 核探测器 基体表面 晶体表面 类金刚石 纳米结构 气体混合 使用环境 高致密 晶体的 离子源 透光率 无定形 增透层 重金属 刻蚀 碳靶 清洗 延伸
【说明书】:

发明公开了在核探测晶体表面的一种防潮高透明度的类金刚石(DLC)涂层的制备方法,包括以下步骤:1S:利用重金属和气体混合等离子体对基体表面进行高低能交替清洗;2S:以碳靶为阴极,利用双T异面型磁过滤沉积方法在基体上进行高致密DLC涂层的沉积;3S:利用低能气体离子源对DLC进行纳米结构刻蚀形成3‑5nm的无定形增透层。该方法基于双T异面型磁过滤沉积方法,在沉积过程中可自形成超致密、高透光率DLC,能够方便解决核探测器中如NaI、CsI晶体易潮解,同时需要高的可见光透光率的需求,能够大幅延伸易潮解核探测晶体的使用环境和范围。

技术领域

本发明属于核探测晶体表面处理领域,具体涉及易潮解晶体表面沉积抗潮、高透过率的DLC涂层的制备方法。

背景技术

闪烁体按其化学性质可分为两类:一类是无机晶体闪烁体,通常是含有少量杂质(称为激活剂)的无机盐晶体,如碘化钠(铊激活)单晶体、即NaI(Tl),碘化铯(铊激活)单晶体、即CsI(Tl),硫化锌(银激活)、即ZnS(Ag)等。无机晶体闪烁体属离子型晶体,原子(离子)之间结合得比较紧密相互之间影响比较大,晶格中原子电子能级加宽成为一系列连续的能带。其中最低能量状态已为电子所填满,故称为满带;价电子都处于稍高的能量状态,这种能带称为“价带”。若价带未填满,则在外电场作用下将有净电流产生;若价带已填满,则必须有电子被激发到更高的能带—导带上去,才能产生电流,此时价带上有一空穴,导带上有一电子,即产生了一个自由电子—空穴对。价带与导带之间的空隙中不存在电子能级,称为禁带;禁带有一宽度Eg,它和晶体的导电性质密切相关,导体在0.1eV左右,半导体在0.63—2.5eV之间,无机闪烁体为绝缘透明物质,Eg>3eV,NaI为7.0eV。当核辐射进入闪烁体时,既可产生自由电子—空穴对,也可以产生激子。而后电子从导带或激带跃迁到价带,退激过程中放出光子;也存在着竞争过程—非辐射跃迁,即通过放热(晶格振动)退激。

碘化钠闪烁晶体能吸收外来射线能量使原子、分子电离和激发,退激时发射出荧光光子。NaI(Tl)晶体的密度较大(ρ=3.67g/cm3),而且高原子序数的碘占重量的85%,所以对γ射线的探测效率特别高,同时相对发光效率大;它的发射光谱最强波长为415nm左右,能与光电倍增管的光谱响应较好匹配。此外,晶体的透明性也很好,测量γ射线时能量分辨率也是闪烁体中较好的一种。

NaI(Tl)晶体的缺点是容易潮解,吸收空气中的水分就会变质失效,透光性和能量响应大大下降;因此常规的方法是采用铝箔来密封;铝箔会大幅减少粒子进入晶体几率,同时需要对粒子穿过铝箔时的能量损失进行修正。

发明内容

本发明旨在解决上面描述的问题,基于磁过滤沉积等技术通过沉积超薄、且致密透光的DLC膜层解决核探测晶体易潮解的关键技术问题。该方法基于T型磁过滤沉积方法、气体离子源技术在沉积过程中可形成超致密、高透明度的DLC膜层,该DLC膜层能有效阻挡晶体的潮解,大幅降低因核探测晶体潮解问题带来的探测器成本、效率等方面的损失。

根据本发明的一个方面,本发明提供了一种防潮高透明度的类金刚石涂层的制备方法,包括以下步骤:

1S:利用重金属和气体混合等离子体对基体表面进行高低能交替清洗;

2S:以碳靶为阴极,利用双T异面型磁过滤沉积方法在基体上进行高致密DLC涂层的沉积;

3S:利用低能气体离子源对DLC进行纳米结构刻蚀形成3-5nm的无定形增透层。

其中,所述T型磁过滤沉积方法为:使所述碳靶产生的碳离子依次穿过第一强脉冲线包、和T型磁过滤弯管。

其中,

设置所述第一强脉冲线包的频率为0.1~200Hz,电流为0.1~50A;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京师范大学,未经北京师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811008088.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top