[发明专利]高导电低阻值的芯片封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811007427.9 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN109065515A 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 张光耀 申请(专利权)人: 合肥矽迈微电子科技有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 高翠花;翟羽
地址: 230001 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 芯片封装结构 芯片 导电片 焊垫 金属凸块 高导电 基板 制备 高度均一性 晶圆级封装 背面设置 导电性能 传统的 导电层 高电流 塑封体 电镀 倒装 电阻 塑封
【权利要求书】:

1.一种高导电低阻值的芯片封装结构,其特征在于,包括一基板、至少一芯片及塑封所述芯片的塑封体,所述芯片的背面设置在所述基板上,每一所述芯片的正面具有多种不同类型的焊垫,相同类型的焊垫全部或部分通过一个或多个导电片连接。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,导电片的高度不同。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,相同类型的焊垫全部通过一个导电片连接。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构还包括多个外引脚,所述外引脚分别与所述导电片及暴露的焊垫连接,所述外引脚的上表面暴露于所述塑封体表面,所述外引脚能够与一外部电路连接,进而将所述芯片的焊垫与外部电路连接。

5.根据权利要求4所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构还包括一层或多层依序重叠的重布线层,所述导电片及暴露的焊垫通过所述重布线层与所述外引脚连接。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,在所述芯片的正面还设置有一胶层或绝缘层,所述胶层或所述绝缘层在对应所述焊垫的位置设置有过孔,以暴露出所述焊垫,所述导电片穿过所述过孔与所述焊垫连接。

7.一种权利要求1~6任意一项所述的芯片封装结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供一芯片,所述芯片的正面具有多种不同类型的焊垫;

将相同类型的焊垫全部或部分通过一个或多个导电片连接;

将所述芯片安装在一基板上,所述芯片的背面与所述基板连接;

塑封,形成芯片封装结构。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述塑封的方法包括如下步骤:

将所述芯片采用塑封料塑封,并暴露出所述导电片的上表面及未与所述导电片连接的焊垫的上表面;

在所述导电片及未与所述导电片连接的焊垫的裸露表面形成多个外引脚,所述外引脚能够与一外部电路连接。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在形成所述外引脚之后,还包括一塑封所述外引脚,并暴露出所述外引脚的上表面的步骤。

10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在形成外引脚的步骤之前,还包括形成一层或多层依序重叠的重布线层的步骤。

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