[发明专利]异方性导电膜结构及其制作方法

说明书

本发明揭示一种异方性导电膜结构及其制作方法，且异方性导电膜结构包括异方性导电膜、中间层以及非导电性薄膜，利用被异方性导电膜以及非导电性薄膜包夹的中间层以阻挡异方性导电膜中未被垂直加压的导电粒子，达成水平方向上的电气绝缘，同时能让已被垂直加压的导电粒子流到被垂直加压的导电粒子中，并相互接触以达到垂直方向上的电气导通，而且中间层还可进一步阻挡非导电性薄膜在加热加压下流到异方性导电膜内，进而提高导电粒子颗数与密度，大幅提升导电率，具有提升生产效率的具体功效。

技术领域

本发明关于一种异方性导电膜结构及其制作方法，尤其是利用被异方性导电膜以及非导电性薄膜包夹的中间层以阻挡异方性导电膜中未被垂直加压的导电粒子，达成水平方向上的电气绝缘，同时能让已被垂直加压的导电粒子流到被垂直加压的导电粒子中，并相互接触以达到垂直方向上的电气导通，而且中间层还可进一步阻挡非导电性薄膜在加热加压下流到异方性导电膜内，进而提高导电粒子颗数与密度，大幅提升导电率，具有提升生产效率的具体功效。

背景技术

在电子工业领域中，需要将不同的电子组件电气连接至电路板上的电子线路，而最常用的方式是使用焊料以达成焊接，比如具低温熔化特性且具有较佳导电度的铅锡合金焊料，可先藉加热处理而使焊料熔化而同时接触电子组件及电子线路，接着在冷却后固化焊料而稳固的连接电子组件及电子线路。随着终端产品对轻、薄、短、小的需求并为达到省电的特性，尤其是集成电路(Integrated Circuit,IC)的电子组件，需要进一步缩小，而对于表面黏着组件(Surface Mount Device,SMD)，一般使用高温炉以加速焊接处理提高产量。

对于产品日益精进的LED以及LED显示器领域，不仅显示面板的尺寸不断增加，而且分辨率也不断提高，使得连接至面板以提供驱动信号而驱动每个像素的驱动IC(DriverIC)需要更多紧密排列的电子组件接脚，藉以满足显示面板的微细间距(Fine Pitch)的需求。

现有技术一般的平面显示器，例如液晶显示器，已取代传统的阴极射线管(CRT)显示器，并广泛地应用于计算机统、电视、影像显示与监视装置以及其他消费性影音装置。然而，随着平面显示器的分辨率不断提高，平面显示器中的驱动集成电路(IC)的接脚数目也愈多，一般可达数百甚至上千个接脚以上。尤其是，市场上对于平面显示器轻薄短小的需求，使得驱动集成电路中相邻线距(Pitch)必须细窄化。因为受制于非常有限的可利用面积且无法使用高温锡焊的传统焊接方式，所以目前液晶模块(LCM)的主流电气连接技术是使用异方性导电膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)，例如玻璃覆晶封装(Chip onGlass,COG)或薄膜覆晶封装(Chip on Film,COF)的制程中，利用ACF以达成特定方向的电气连接。

具体而言，异方性导电膜是以树脂及导电粒子(或导电粉体)组合而成，可用以连接二种不同基材和线路，而且异方性导电膜具有上下(Z轴)电气导通的特性，且左右平面(X、Y轴)具有绝缘性，通常可在加热下并利用Z轴方向上的外部加压处理，使所包含的分离导电粒子相互接触而达到Z轴方向的电气导通且同时平面方向电气绝缘的目的，可避免相邻接脚发生短路。然而在前述基础上，随着可利用接触面积的缩小，必须增加导电粉体的含量或增大导电粉体的粒径，藉以降低电阻而能维持足够的导通电量，但是会大幅提高封装线路之间发生短路的机率，因此，业界引入了结合ACF与非导电性薄膜(Non-ConductiveFilm,NCF)30’的双层复合式结构。

进一步而言，结合ACF与NCF的双层复合式结构在实际投入热压处理制程的时候，会由于材料特性的关，使得NCF保持极高的流动性，很容易侵入ACF内，进一步推挤ACF内所包含有的树脂’与导电粒子，使得单位面积中的导电粒子颗数与密度大幅降低，造成导电率难以提升的限制。再者，为了维持特定电气特性与效能，必须在电接触部份使用高质量的基材、组件、导线以及异方性导电膜，导致制程成本大幅增加，而且还降低整体的生产效率。