[发明专利]一种半导体器件清洗工艺及装置

说明书

本发明提供了一种半导体器件清洗工艺，其包括如下步骤：S100：蒸发清洗步骤；采用正溴丙烷蒸汽对待处理的半导体器件进行清洗处理；S200：冷凝步骤；采用冷凝装置进行冷凝处理使所述正溴丙烷蒸汽在所述半导体器件上凝结成液滴。本发明还提供一种半导体清洗装置，其特包括蒸发‑冷凝清洗装置，所述蒸汽‑冷凝清洗装置包括封闭壳体；加热槽；第一加热装置；支撑架；以及冷凝装置。本发明采用了蒸发‑冷凝的工艺实现了清洗剂的反复使用，降低了成本，减少了污染。

技术领域

本发明涉及半导体器件处理领域，尤其涉及一种焊接处理之后得到的半导体器件的清洗工艺及装置。

背景技术

目前半导体器件完成焊接后，器件表面会存在各种残留物(如助焊剂、杂质、碳化物等)。由于助焊剂为弱酸性，长期使用，会对焊板和晶粒本身产生腐蚀，半导体材料本身的可靠性和稳定性会降低；而杂质和碳化物会增加材料的漏电，导致材料的高温特性能力降低，尤其表现在高温漏电流实验项目上失效比例较高。因此需要对半导体器件表面进行清洗。

目前行业内采用的方式为丙酮和IPA混合溶液清洗，这种清洗方式的缺点在于清洗力较差，清洗时间较长，挥发严重，并且丙酮和IPA耗用较大。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的是提供一种处理效果好的、清洗剂使用较少的半导体器件的清洗工艺及清洗装置。

本发明的技术方案如下：

一种半导体器件清洗工艺，其包括如下步骤：

S100：蒸发清洗步骤；采用正溴丙烷蒸汽对待处理的半导体器件进行清洗处理；

S200：冷凝步骤；采用冷凝装置进行冷凝处理使所述正溴丙烷蒸汽在所述半导体器件上凝结成液滴。

其中，步骤S100之前还包括预处理步骤，所述预处理步骤包括如下步骤：

S001:采用正溴丙烷对所述待处理的半导体器件进行浸泡处理；

S002：对经过浸泡处理的半导体器件进行漂洗处理。

进一步的，步骤S001中采用的为温度为40℃～60℃的正溴丙烷；

和/或步骤S002中采用温度为5℃～15℃的正溴丙烷对所述半导体器件进行漂洗处理。

进一步的，所述步骤S100和步骤S200交替进行。

其中，步骤S001的浸泡处理的时间为2～6分钟，步骤S002的漂洗处理的时间为3～5分钟。

本发明还提供一种半导体清洗装置，其包括蒸发-冷凝清洗装置，所述蒸汽-冷凝清洗装置包括

封闭壳体；

加热槽，所述加热槽设置在所述封闭壳体中，且所述加热槽用于放置正溴丙烷；

第一加热装置，所述第一加热装置与所述加热槽相邻，所述第一加热装置用于加热所述正溴丙烷以产生正溴丙烷蒸汽；

支撑架，所述支撑架设置在所述加热槽的上方且所述支撑架设置在所述封闭壳体中，待处理的半导体器件设置在所述支撑架上；以及

冷凝装置，所述冷凝装置设置在所述加热槽的上方，且所述冷凝装置设置在所述封闭壳体中。

其中，所述冷凝装置与放置在所述加热槽中的正溴丙烷的液面之间的距离为15mm～40mm。

其中，所述半导体器件与放置在所述加热槽中的正溴丙烷的液面存在一定距离。

其中，所述半导体器件的下沿与放置在所述加热槽中的正溴丙烷的液面之间的距离为8mm～20mm。