[发明专利]半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体小片

说明书

本公开涉及半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体裸片。半导体装置包含半导体裸片，所述半导体裸片在半导体材料的衬底上方包括集成电路。第一裸片环包括至少部分地环绕所述集成电路的一或多种导电材料，所述一或多种导电材料包括从邻近所述衬底的表面处到所述半导体裸片的暴露表面的导电路径。第二裸片环包括导电材料且围绕所述第一裸片环安置。第一导电互连件将所述第一裸片环电连接到第二裸片环。公开相关半导体装置和半导体小片。

优先权要求

本申请要求2017年8月30日申请的标题为“半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体小片(SEMICONDUCTOR DEVICES AND SEMICONDUCTOR DICE INCLUDINGELECTRICALLY CONDUCTIVE INTERCONNECTS BETWEEN DIE RINGS)”的美国专利申请第15/691,303号的申请日权益。

技术领域

本文中所公开的实施例涉及半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体小片。更明确地说，本公开的实施例涉及半导体装置和包含围绕半导体裸片的集成电路延伸并通过一或多个导电互连件电连接到彼此的裸片环的半导体小片，以及相关方法。

背景技术

在半导体裸片制造期间，在单个晶片或其它块体半导体衬底上制造大量半导体小片。在制造与每一裸片相关联的组件和电路之后，对晶片执行所谓的切片操作，以从晶片分离个别小片(例如，使小片单粒化)且使小片彼此分离。在切片之后，个别小片可封装或可直接安装到半导体装置，以便形成印刷电路板。

切片包含使用具有例如金刚石锯片的机械锯，在小片之间沿着穿过晶片的部分的划痕线(称为“街道(street)”)进行锯切。令人遗憾的是，切片操作通常对半导体晶片施加显著应力且可能会在进行单粒化时损坏小片。从例如50μm或更小厚度的极薄晶片单粒化片的当前实施方案加剧损坏可能性。举例来说，切片可在锯切期间起始个别小片的边缘处例如邻近划痕线的区域处的断裂。如果断裂足够严重，那么其可传播穿过裸片且中断裸片的集成电路。断裂也可以导致裸片内的材料脱层并且也可使裸片的集成电路暴露于周围环境和污染物(例如，水分和离子污染物)，可能致使对此类材料的腐蚀和非期望氧化。在一些情况下，裸片或与裸片相关联的封装可由于裸片暴露于的断裂、水分或污染物中的一或多个而失效。

为弥补裸片开裂，在一些情况下，小片可围绕其环绕裸片的集成电路的外围部分形成有所谓的“裸片环”(在所属领域中有时也称为“密封环”或“护环”)。裸片环可包含与邻近裸片的周缘的相邻材料相比当经历切片操作时较不易于开裂或脱层的材料。因此，裸片环可有助于减少在切片操作期间或之后从裸片的周缘到裸片的集成电路区域的裂纹传播。

发明内容

本文中所公开的实施例涉及半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体小片。举例来说，根据一些实施例，一种半导体装置包括半导体裸片，其包括集成电路；第一裸片环，其包括至少部分地环绕所述集成电路的一或多种导电材料，所述一或多种导电材料包括从所述半导体裸片的表面到所述半导体裸片中的导电路径；第二裸片环，其包括围绕所述第一裸片环安置的导电材料；和第一导电互连件，其将所述第一裸片环电连接到第二裸片环。

在额外实施例中，一种半导体裸片包括第一裸片环，其在半导体裸片的外围区域中，所述第一裸片环包括从所述半导体裸片的上表面延伸到所述半导体裸片中且包括导电材料的连续导电结构；第二裸片环，其围绕所述第一裸片环，所述第二裸片环包括导电材料；和第一导电互连件，其将所述第一裸片环电连接到所述第二裸片环。

在另外的实施例中，一种半导体装置包括第一裸片环，其围绕半导体裸片的集成电路延伸，其中所述第一裸片环包括围绕所述集成电路延伸的连续导电结构；第二裸片环，其包括围绕所述第一裸片环的导电材料；和导电互连件，其将所述第一裸片环电耦合到所述第二裸片环。

附图说明

图1是包含多个半导体小片的晶片的俯视图；