[发明专利]一种倒装发光二极管芯片的制作方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底，并在所述衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；

在所述凹槽内的N型半导体层上形成N型电极，同时在所述P型半导体层上形成P型电极，所述N型电极的顶部的材料和所述P型电极的顶部的材料均为钛、钨和金的合金；所述N型电极的顶部和所述P型电极的顶部均包括依次层叠的多个子层，所述多个子层中钨元素的含量沿所述多个子层的层叠方向逐层减少；

在所述凹槽内的N型半导体层、所述N型电极、所述P型电极和所述P型半导体层上依次形成反射层和绝缘层，所述绝缘层上设有穿过所述反射层延伸至所述N型半导体层的第一通孔、以及穿过所述反射层延伸至所述P型半导体层的第二通孔；

在真空环境中，通过所述第一通孔对所述N型电极的顶部进行物理轰击，通过所述第二通孔对所述P型电极的顶部进行物理轰击，去除形成所述反射层和所述绝缘层时残留在所述N型电极的顶部和所述P型电极的顶部的污染物；

在所述第一通孔内的N型电极和所述绝缘层上形成N型焊盘，同时在所述第二通孔内的P型电极和所述绝缘层上形成P型焊盘，所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置，所述N型焊盘和所述P型焊盘均包括依次层叠的起始部分和后续部分，所述起始部分的形成速率大于所述后续部分的形成速率。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述多个子层中钨元素的含量的最小值为1％～3％。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述多个子层中钨元素的含量最少的子层的厚度为8nm～12nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一通孔内的N型电极和所述绝缘层上形成N型焊盘，同时在所述第二通孔内的P型电极和所述绝缘层上形成P型焊盘，包括：

在所述第一通孔内的N型电极、所述第二通孔内的P型电极和所述绝缘层上铺设焊盘材料；

采用光刻技术在所述P型焊盘和所述N型焊盘所在区域的焊盘材料上形成光刻胶；

在所述光刻胶的保护下，干法刻蚀所述焊盘材料，得到P型焊盘和N型焊盘；

去除所述光刻胶。

5.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述N型焊盘的底部的材料和所述P型焊盘的底部的材料为钛。

6.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述起始部分的形成速率为所述后续部分的形成速率的1.5倍～2.0倍。

7.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述反射层包括交替层叠的多个氟化镁层和多个三氧化二钛层。

8.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氮氧化硅。

9.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层的厚度之和为所述有源层发出光线半波长的整数倍。