[发明专利]用于确定工艺参数的方法和装置在审
| 申请号： | 201811002112.5 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109671624A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 亚辛·卡布兹;吕克·阿尔巴雷德 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 时间轨迹 气体副产物 方法和装置 干法处理 工艺输出 预测模型 衬底 测量 | ||
1.一种使用至少一种基于时间轨迹的预测模型处理在处理室中的衬底的方法，其包括：
干法处理衬底，其中所述干法处理产生至少一种气体副产物；
测量所述至少一种气体副产物的浓度；
获得所述至少一种气体副产物的所述浓度的时间轨迹；
提供所述浓度的所获得的所述时间轨迹作为所述至少一个基于时间轨迹的预测模型的输入，以获得至少一个工艺输出；以及
使用所述至少一个工艺输出来调整至少一个工艺参数。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个基于时间轨迹的预测模型基于多变量方法。
3.如权利要求1所述的方法，其还包括从所述浓度的所获得的所述时间轨迹计算吸收值的总和。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个基于时间轨迹的预测模型还基于蚀刻速率、均匀性、关键尺寸、蚀刻轮廓、湿法清洁、蚀刻性能、室匹配和室清洁性能中的至少一种。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述使用所述至少一个工艺输出包括确定蚀刻速率、均匀性、关键尺寸和蚀刻轮廓中的至少一种的变化。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述使用所述至少一个工艺输出包括确定蚀刻速率、均匀性、CD和蚀刻轮廓中的至少一种是否超出规范。
7.如权利要求1所述的方法，其中基于光吸收来测量所述至少一种气体副产物的浓度。
8.如权利要求7所述的方法，其中使用光程长度至少为1米的多通气室测量所述至少一种气体副产物的所述浓度，其中通过将所述多通气室放置在排放泵的输出侧上，在所述至少一种气体副产物已经通过所述排放泵之后测量所述至少一种气体副产物。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个工艺输出包括至少两个工艺输出。
10.一种创建基于时间轨迹的预测模型的方法，其包括：
干法处理多个衬底，其中所述干法处理产生至少一种气体副产物；
测量所述至少一种气体副产物的浓度；
记录工艺参数；
对于每个衬底获得关于所述至少一种气体副产物的所述浓度随时间而变化的多个时间轨迹；
测量输出参数；以及
使用所述工艺参数、获得的多个时间轨迹和测得的输出参数来创建至少一个工艺输出的基于时间轨迹的预测模型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
