[发明专利]一种阵列F-P腔滤光片的制备方法在审
| 申请号： | 201811002071.X | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109031491A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 梁海锋;殷淑静;蔡长龙;段营部;刘卫国 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 腔层 反射膜 牺牲层 制造 图形转移 滤光片 软模具 中心波长位置 离子束刻蚀 热蒸发镀膜 窄带滤光片 牺牲胶层 一次完成 多通道 腔滤光 热蒸发 透过率 基底 滤光 上旋 加压 调控 | ||
【权利要求书】：
1.一种阵列F-P腔滤光片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
①软模具制造：采用单点金刚石车削制造硬模具，模具图形对应需要调整各个通道的F-P腔厚度，并用纳米压印的方法把图形转移到软模具上；
②下反射膜堆制造：基底上采用热蒸发镀膜的方法制备F-P窄带滤光片一侧的反射膜堆和腔层；
③牺牲层制造：在腔层上旋涂牺牲胶层；
④图形转移：把①制备好的软模具图形，通过自然加压的形式转移到3制备好的牺牲层上；
⑤腔层厚度调控：采用离子束刻蚀工艺，把牺牲层的图形转移到腔层上，实现一次完成多通道腔层厚度的调整；
⑥上反射膜堆制造：采用热蒸发的方法制备上面的反射膜堆，完成滤光片的制造。
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