[发明专利]一种二氧化钛多孔纳米线及其制备方法有效
| 申请号: | 201811001853.1 | 申请日: | 2018-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN109133166B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
| 发明(设计)人: | 李建明;刘合;王晓琦;金旭;焦航;刘晓丹;孙亮 | 申请(专利权)人: | 中国石油天然气股份有限公司 |
| 主分类号: | C01G23/08 | 分类号: | C01G23/08;C01G23/053;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 姚亮 |
| 地址: | 100007 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氧化 多孔 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种二氧化钛多孔纳米线的制备方法,其包括以下步骤:
S1、将钛源分散于含有氢氧化锂的双氧水水溶液中,搅拌形成透明溶液A;所述含有氢氧化锂的双氧水水溶液中,氢氧化锂的浓度为0.4摩尔/升至1.0摩尔/升,双氧水的体积分数为千分之五至百分之十;
S2、将所述透明溶液A进行加热反应获得纳米线状结构前驱物B;
S3、将所述纳米线状结构前驱物B分离后,经低温退火处理获得纳米线状结构前驱物C;
S4、将所述纳米线状结构前驱物C分散于酸溶液中进行氢离子交换,得到纳米线状结构前驱物D;
S5、将所述纳米线状结构前驱物D经高温退火处理获得多孔纳米线状结构二氧化钛产物E,即所述二氧化钛多孔纳米线;
其中,在S1中,钛源的摩尔浓度为0.01摩尔/升至1摩尔/升;所述钛源中的钛与氢氧化锂的摩尔比为1:100至1:1;
所述加热反应的温度为60摄氏度至100摄氏度;
所述低温退火处理的温度为150摄氏度至250摄氏度;
所述高温退火的温度为300摄氏度至1500摄氏度。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:
所述钛源选自乙醇钛、丙醇钛、钛酸四丁酯、乙二醇钛、丙三醇钛、硫酸钛、硫酸氧钛、四氯化钛、四氟化钛、氟钛酸铵和钛酸中的一种或者几种的组合。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述加热反应的时间为0.5小时至24小时。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述低温退火处理的时间为1小时至24小时。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述酸溶液的酸选自盐酸、硝酸、硫酸和醋酸中的一种或者几种的组合;所述酸溶液的浓度为0.001摩尔/升至0.1摩尔/升。
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述高温退火的温度为300摄氏度-1000摄氏度;所述高温退火处理的时间为1小时至24小时。
7.权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到的二氧化钛多孔纳米线。
8.对权利要求7所述的二氧化钛多孔纳米线进行表面修饰或者半导体复合的方法;其中,所述表面修饰包括负载碳、负载黑磷、负载氧化钌、负载氧化铅、负载氧化镍、负载金属铂、负载金属金、负载金属银和负载金属铜中的一种或者几种的组合;
其中,所述半导体复合包括硫化镉半导体复合、硫化铅半导体复合、氧化铜半导体复合、氧化亚铜半导体复合、氧化铁半导体复合、氧化亚铁半导体复合、氧化钨半导体复合、氧化锌半导体复合、磷化镓半导体复合、锡化镉半导体复合、硫化钼半导体复合和氮化碳半导体复合中的一种或者几种的组合。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述负载碳为负载碳纳米管或负载石墨烯。
10.权利要求7所述的二氧化钛多孔纳米线用于锂离子电池材料、钠离子电池材料、钾离子电池材料、催化加氢材料、光催化降解有机污染物、光催化分解水制氢、气体传感、染料敏化太阳能电池、钙钛矿太阳能电池、亲疏水材料和生物医学领域中的一种或几种的用途。
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