[发明专利]用于提高焊接强度的集成电路封装及其回流方法有效
申请号: | 201811001511.X | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN109166827B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 李义政 | 申请(专利权)人: | 中山市盈利佳电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/24 | 分类号: | H01L23/24;H01L23/34;H01L23/427;H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 北京艾皮专利代理有限公司 11777 | 代理人: | 杨克 |
地址: | 528447 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 焊球 高密度集成电路封装 焊球阵列 焊接 芯片 保温作用 不接触 热气流 上表面 暂时性 倒装 多列 减小 两层 球窝 三面 城墙 阻挡 融合 | ||
1.用于提高焊接强度的集成电路封装,其特征在于,包括第二基底(6)、第二焊球(7)、S管(81)、第一基底(9)、第一芯片(11),所述第二基底(6)叠放在所述第一基底(9)的上侧,所述第二焊球(7)设置在所述第二基底(6)与所述第一基底(9)之间使得所述第二基底(6)与所述第一基底(9)之间不接触;所述第一芯片(11)设置在所述第二基底(6)与所述第一基底(9)之间且倒装在所述第一基底(9)的上表面;所述第二焊球(7)有多个,均匀分布在第一基底(9)与第二基底(6)之间并形成焊球阵列;所述S管(81)包括数量不少于三根的长管和数量不少于两根的短管,长管和短管间隔连接形成S型,其中长管与长管之间相互平行,短管与短管之间相互平行,所述S管(81)设置在焊球阵列四周并将焊球阵列以列为单位进行隔离,从焊球阵列中隔离的列所在的直线与长管所在的直线平行。
2.根据权利要求1所述的用于提高焊接强度的集成电路封装,其特征在于,所述S管(81)的横截面为长方形,所述S管(81)的横截面的纵向高度为0.05mm~0.2mm,所述S管(81)的横截面的横向宽度为0.2mm~0.6mm。
3.根据权利要求1所述的用于提高焊接强度的集成电路封装,其特征在于,在第一芯片(11)的上侧设置内回流管(12),在第一基底(9)的上侧设置有连通管,连通管与S管(81)首尾连接形成闭合的外回流管(8);所述内回流管(12)与所述外回流管(8)之间接触使得所述内回流管(12)与所述外回流管(8)之间进行热传递。
4.根据权利要求3所述的用于提高焊接强度的集成电路封装,其特征在于,所述内回流管(12)和外回流管(8)均为铜管。
5.根据权利要求3所述的用于提高焊接强度的集成电路封装,其特征在于,所述内回流管(12)包括多根直管(121)、多根弯管(122)、两个转接头(123)和一根回流管(124),直管(121)的数量为N+1,弯管(122)的数量为N,其中N为大于0的偶数;多根直管(121)平行设置,相邻两根直管(121)处于同一侧的一端采用一根弯管(122)连接;两根相邻的直管(121)之间形成间隔,相邻的间隔的两根弯管(122)分别处于直管(121)的两侧;两个转接头(123)分别设置在外侧的两根直管(121)未连接弯管(122)的一端,一根回流管(124)设置在两个转接头(123)之间,使得回流管(124)处于直管(121)所在平面的下侧。
6.根据权利要求5所述的用于提高焊接强度的集成电路封装,其特征在于,所述外回流管(8)包括两根S管(81)、四个转角接头(82)、N个外侧弯管(83)、N-2个直线接头(84),两个S管(81)设置在第一基底(9)的上表面且处于第一芯片(11)的两侧;每两个转角接头(82)连接在一个S管(81)的两端;外侧弯管(83)与弯管(122)一一对应,外侧弯管(83)设置在弯管(122)的外侧,两个相邻的外侧弯管(83)之间通过一个直线接头(84)连接;处于两侧的外侧弯管(83)的未连接直线接头(84)的一端与转角接头(82)的未连接S管(81)的一端贯通。
7.基于权利要求1-6任一所述的用于提高焊接强度的集成电路封装的回流方法,其特征在于,
步骤11,将第一芯片(11)倒装在第一基底(9)的上表面,在第一基底(9)的上表面印刷锡膏形成焊球阵列,并将S管(81)设置在焊球阵列四周并将焊球阵列以列为单位进行隔离,从焊球阵列中隔离的列所在的直线与长管所在的直线平行;
步骤12,将第二基底(6)覆盖在第一基底(9)的上侧,使第一基底(9)上的焊球阵列与第二基底(6)底面相应的焊点接触,得到待焊接组件;
步骤13,将待焊接组件水平放置,热气流喷口设置在对立两侧,使热气流从S管(81)相邻的长管之间形成的间隔开口处水平喷入,得到焊接组件;
步骤14,如果有多层器件需要焊制则重复步骤11至步骤14,如果没有多层器件需要焊制则将步骤13得到的焊接组件进行清洗。
8.基于权利要求1-6任一所述的用于提高焊接强度的集成电路封装的回流方法,其特征在于,
步骤21,将第一芯片(11)倒装在第一基底(9)的上表面,在第一基底(9)的上表面印刷锡膏形成焊球阵列,并将内回流管(12)设置在第一芯片(11)的上侧,将外回流管(8)设置在第一基底(9)的上侧,所述内回流管(12)与所述外回流管(8)的内部均设置有液体;所述内回流管(12)与所述外回流管(8)之间接触使得所述内回流管(12)与所述外回流管(8)之间进行热传递;其中,外回流管(8)中的S管(81)设置在焊球阵列四周并将焊球阵列以列为单位进行隔离,从焊球阵列中隔离的列所在的直线与长管所在的直线平行;
步骤22,将第二基底(6)覆盖在第一基底(9)的上侧,使第一基底(9)上的焊球阵列与第二基底(6)底面相应的焊点接触,得到待焊接组件;
步骤23,将待焊接组件水平放置,热气流喷口设置在对立两侧,使热气流从S管(81)相邻的长管之间形成的间隔开口处水平喷入,得到焊接组件;
步骤24,如果有多层器件需要焊制则重复步骤21至步骤24,如果没有多层器件需要焊制则将步骤23得到的焊接组件进行清洗。
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