[发明专利]成膜装置以及成膜方法在审
| 申请号： | 201811000943.9 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109468613A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 清水亮;石井胜利;寺本章伸;诹访智之;志波良信 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 处理容器 紫外线 照射 成膜装置 氮化硅膜 高品质 成膜 损伤 紫外线处理 紫外线照射 低温形成 气体反应 对向 活化 载置 加热 | ||
1.一种成膜装置，是用于使包含硅的原料气体和包含氮的反应气体反应而在基板上形成氮化硅膜的装置，其特征在于，具备：
处理容器，用于形成真空环境；
基板的载置部，被设置在上述处理容器内；
原料气体供给部，用于向上述处理容器内供给原料气体；
反应气体供给部，用于向上述处理容器内供给包含氮的气体；以及
紫外线照射部，用于在上述反应气体与上述原料气体反应前激发该反应气体，
上述成膜装置构成为不对上述载置部上的基板照射上述紫外线照射部的紫外线。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述紫外线照射部被设置为对反应气体导入路照射紫外线，上述反应气体导入路用于从上述反应气体供给部向上述处理容器内导入反应气体。
3.根据权利要求1或者2所述的成膜装置，其特征在于，
与成为通过反应气体供给部所供给的反应气体的吸收频谱的波长对应地选择从上述紫外线照射部照射的紫外线的主要的波长。
4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
上述反应气体是氨气，从上述紫外线照射部照射的紫外线的主要的波长为105nm以上且220nm以下的长度。
5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，
上述紫外线照射部由氙准分子灯构成。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的成膜装置，其特征在于，
具备紫外线照射窗，上述紫外线照射窗使从上述紫外线照射部照射的紫外线在反应气体被照射前透过，
上述紫外线照射窗由SiO2、LiF、MgF2以及CaF2中的任一构成。
7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的成膜装置，其特征在于，
进行成膜处理的处理环境的温度为25℃～600℃。
8.根据权利要求1～6中的任意一项所述的成膜装置，其特征在于，
进行成膜处理的处理环境的温度为200～600℃。
9.一种成膜方法，使包含硅的原料气体和包含氮的反应气体反应而在基板上形成氮化硅膜，其特征在于，包括：
在处理容器内的载置部载置基板的工序；
接下来，在使上述处理容器内成为真空环境的状态下，对处理容器内供给原料气体的工序；
在上述反应气体与上述原料气体反应前利用紫外线激发该反应气体的工序；以及
将被激发的反应气体向上述处理容器内供给的工序，
不对上述载置部上的基板照射上述紫外线。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
