[发明专利]具有校正温度漂移的集成电路芯片有效
| 申请号： | 201811000808.4 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN109119405B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | S·庞塔罗洛;P·迈格 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（格勒诺布尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/34;H01L27/02;G01K7/01;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 校正 温度 漂移 集成电路 芯片 | ||
1.一种集成电路芯片，包括：
多个沟槽，至少部分地环绕集成电路衬底的内部部分，所述内部部分包括对温度变化敏感的电路装置；
其中所述沟槽在多个区域处局部地中断，电连接件在所述集成电路衬底的所述内部部分和环绕所述内部部分的外部部分之间穿过所述多个区域；
加热电阻器，放置在所述内部部分中，并且被配置为改变所述内部部分的温度；
放大器，包括第一电路部分和第二电路部分，所述第一电路部分在所述集成电路衬底的所述外部部分中，所述第二电路部分包括对温度变化敏感的所述电路装置；以及
温度传感器，放置在所述内部部分中。
2.根据权利要求1所述的芯片，其中所述温度传感器是PN结二极管。
3.根据权利要求1所述的芯片，其中所述加热电阻器是扩散电阻器。
4.根据权利要求1所述的芯片，其中所述多个沟槽包括环绕所述内部部分的沟槽的双网络，沟槽的所述双网络中的沟槽被形成为限定臂，所述臂将所述集成电路芯片的所述内部部分连接至所述集成电路芯片的所述外部部分。
5.根据权利要求1所述的芯片，包括：半导体层，被下方支持层支持但与所述下方支持层绝缘，其中所述沟槽延伸到完全穿过所述半导体层的厚度的深度。
6.根据权利要求5所述的芯片，其中所述内部部分的底部与所述下方支持层绝缘。
7.根据权利要求1所述的芯片，还包括：盖层，安装至所述集成电路芯片的所述外部部分并且在所述内部部分之上延伸但与所述内部部分绝缘。
8.根据权利要求1所述的芯片，其中对温度变化敏感的所述电路装置影响所述放大器的偏移电压。
9.根据权利要求1所述的芯片，其中包括对温度变化敏感的所述电路装置的所述第二电路部分包括所述放大器的输入级。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体（格勒诺布尔2）公司，未经意法半导体（格勒诺布尔2）公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811000808.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：对准方法、压印方法和晶圆堆叠方法
- 下一篇：包括电阻器结构的半导体器件
