[发明专利]一种上电复位电路有效
| 申请号: | 201811000487.8 | 申请日: | 2018-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN109257035B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 付家喜;徐希;陶成;季翔宇;陈峰 | 申请(专利权)人: | 龙迅半导体(合肥)股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22;H03K17/60 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 复位 电路 | ||
1.一种上电复位电路,其特征在于,包括:第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一反相器(INV1)、第二反相器(INV2)、第一PMOS管(PM1)、第一NMOS管(NM1)以及钳位器件(M1),其中:
所述第一电阻(R1)的一端、所述第一PMOS管(PM1)的第一端、所述第一反相器(INV1)的第一端以及所述第二反相器(INV2)的第一端与电源端(VCC)相连;
所述第一电阻(R1)的另一端作为a节点分别与所述第二电阻(R2)的一端、所述第一PMOS管(PM1)的第三端以及所述第一NMOS管(NM1)的第一端相连,所述第二电阻(R2)的另一端作为c节点与所述钳位器件(M1)的第一端相连;
所述第一NMOS管(NM1)的第二端作为d节点与所述第三电阻(R3)的一端相连;所述第一PMOS管(PM1)的第二端作为b节点分别与所述第一反相器(INV1)的输入端和所述第四电阻(R4)的一端相连;
所述第一反相器(INV1)的输出端与所述第二反相器(INV2)的输入端相连,所述第一NMOS管(NM1)的第三端与所述第二反相器(INV2)的输出端相连,形成反馈,所述第二反相器(INV2)的输出端作为所述上电复位电路的输出端;
所述钳位器件(M1)的第二端、所述第三电阻(R3)的另一端、所述第四电阻(R4)的另一端、所述第一反相器(INV1)的第二端以及所述第二反相器(INV2)的第二端与接地端(GND)相连;
所述上电复位电路的上电过程为:当电源电压VCC为0V时,电路中所有节点的电压为0V;当所述电源电压VCC上升到所述钳位器件(M1)的钳位电压之前,所述钳位器件(M1)不导通,所述a节点和所述c节点的电压相等且等于所述电源电压VCC,所述第一PMOS管(PM1)不导通,所述b节点和所述d节点分别被所述第四电阻(R4)和所述第三电阻(R3)下拉到地,此时,所述上电复位电路的输出端的输出信号rstn输出为低电平,所述第一NMOS管(NM1)不导通;当所述电源电压VCC上升到大于所述钳位器件(M1)的钳位电压时,所述钳位器件(M1)导通,且此时所述电源电压VCC与所述a节点的电压的差不足以使所述第一PMOS管(PM1)导通,所述b节点和所述d节点的电压依然为0V,所述上电复位电路的输出端的输出信号rstn输出为低电平,所述第一NMOS管(NM1)不导通;当所述电源电压上升到使所述电源电压VCC与所述a节点的电压的差值大于所述第一PMOS管(PM1)的阈值电压的绝对值Vthp时,所述第一PMOS管(PM1)导通,流过所述第一PMOS管(PM1)的电流流经所述第四电阻(R4),所述b节点的电压上升使第一反相器(INV1)和第二反相器(INV2)翻转,所述上电复位电路的输出信号rstn由低电平翻转为高电平,所述第一NMOS管(NM1)导通,所述a节点的电压被迅速拉低,加速所述第一PMOS管(PM1)导通;所述电源电压VCC继续上升到正常工作电压,所述上电复位电路的输出端的输出信号rstn维持高电平不变;
所述上电复位电路的下电过程为:当所述电源电压VCC处于正常工作电压时,所述上电复位电路的输出端的输出信号rstn维持高电平,其电压等于所述电源电压VCC;当所述电源电压VCC由正常工作电压下降且低于预设阈值时,所述上电复位电路的输出端的输出信号rstn会从高电平翻转为低电平;当所述电源电压VCC继续下降时,所述上电复位电路的输出端的输出信号rstn维持低电平不变。
2.根据权利要求1所述的上电复位电路,其特征在于,所述钳位器件(M1)为三极管(Q1)。
3.根据权利要求2所述的上电复位电路,其特征在于,所述三极管(Q1)的发射极作为所述钳位器件(M1)的第一端,所述三极管(Q1)的基极和集电极相连,作为所述钳位器件(M1)的第二端接地。
4.根据权利要求1所述的上电复位电路,其特征在于,所述钳位器件(M1)为第二NMOS管(NM2)。
5.根据权利要求4所述的上电复位电路,其特征在于,所述第二NMOS管(NM2)的第一端和第三端相连,作为所述钳位器件(M1)的第一端,所述第二NMOS管(NM2)的第二端作为所述钳位器件(M1)的第二端接地。
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