[发明专利]一种横向沟槽型MOSFET器件及其制备方法

权利要求书

1.一种横向沟槽型MOSFET器件，其特征在于：其元胞结构包括第二导电类型半导体衬底(14)和设置在第二导电类型半导体衬底(14)背面的衬底电极(15)；所述第二导电类型半导体衬底(14)的正面设置有上下表面平齐且左右相邻的第一导电类型半导体掺杂区(11)和第一导电类型半导体漂移区(12)，第一导电类型半导体掺杂区(11)的掺杂浓度高于第一导电类型半导体漂移区(12)的掺杂浓度；在第一导电类型半导体漂移区(12)的顶层设置有第一导电类型半导体漏区(13)，所述第一导电类型半导体漏区(13)的上表面设置有漏极金属(3)；在第一导电类型半导体掺杂区(11)远离漏极金属(3)一侧的顶层设置有相对窄禁带半导体区(4)，相对窄禁带半导体区(4)的禁带宽度小于第二导电类型半导体和第一导电类型半导体的禁带宽度；相对窄禁带半导体区(4)的上、下表面与第一导电类型半导体掺杂区(11)平齐，相对窄禁带半导体区(4)与第一导电类型半导体掺杂区(11)在其接触界面形成具有整流特性的异质结；相对窄禁带半导体区(4)的上表面设置有第一源极金属(1a)；相对窄禁带半导体区(4)靠近漏极金属(3)一侧的顶层设置有第一栅极结构；在第一导电类型半导体掺杂区(11)顶层还设置有与第一栅极结构对称的第二栅极结构以及设置在两个栅极结构之间的台面结构；所述第一栅极结构和第二栅极结构均为沟槽栅结构，包括沟槽型栅电极(6a、6b)、设置在栅电极(6a、6b)周侧的栅介质层(5a、5b)以及设置在栅电极(6a、6b)上表面的栅极金属(2a、2b)；所述台面结构包括第二导电类型半导体Base区(9)、第一导电类型半导体源区(7)和第二导电类型半导体接触区(8)，第一导电类型半导体源区(7)和第二导电类型半导体接触区(8)设置在第二导电类型半导体Base区(9)顶层且第二导电类型半导体接触区(8)通过两侧的第一导电类型半导体源区(7)与栅极结构接触；第二导电类型半导体接触区(8)及其两侧的第一导电类型半导体源区(7)的上表面设置有第二源极金属(1b)；在第一导电类型半导体掺杂区(11)顶层还设置沿器件纵向剖面呈“L”型的第二导电类型第一半导体深区(10)，第二导电类型第一半导体深区(10)延伸至第二栅极结构的底端以包围第二栅极结构靠近第一导电类型半导体漏区(13)的尖端；第二导电类型第一半导体深区(10)的上表面设置有第三源极金属(1c)；第一源极金属(1a)、第二源极金属(1b)和第三源极金属(1c)相互连接；两个栅极金属(2a、2b)相互连接；源极金属(1a、1b、1c)、栅极金属(2a、2b)以及漏极金属(3)通过介质层相互隔离。