[发明专利]形成用于封装互连应用的混合插口结构的方法及由此形成的结构

权利要求书

1.一种微电子封装插口结构，包括：

导电插针，包括：

悬臂梁部分，其与封装基板的第一侧物理耦合；

触针部分，其中，所述触针部分的端子末端物理地和电气地耦合到板；

包括壳体腔的壳体结构，其中，所述触针部分至少部分地设置在所述壳体腔内；以及

导电材料，其设置在所述壳体腔的表面附近。

2.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中，所述导电材料包括邻近所述壳体腔设置的导电过孔。

3.根据前述权利要求中任一项所述的微电子封装结构，其中，所述壳体结构包括设置在所述壳体结构的侧壁的至少一部分上的导电材料。

4.根据前述权利要求中任一项所述的微电子封装结构，还包括设置在所述壳体结构的第一侧上的导电材料。

5.根据前述权利要求中任一项所述的微电子封装结构，还包括设置在所述壳体结构的第二侧上的导电材料。

6.根据前述权利要求中任一项所述的微电子封装结构，其中，所述壳体结构包括电介质材料，所述电介质材料包括高介电常数、低电介质损耗材料。

7.根据权利要求6所述的微电子封装结构，其中，所述电介质材料选自液晶聚合物材料组成的组。

8.根据前述权利要求中任一项所述的微电子封装结构，其中，所述插口包括快速外围部件互连(PCIe)插口，并且所述基板包括动态数据速率(DDR)存储器管芯。

9.一种形成微电子封装结构的方法，包括：

提供用于导电插针的壳体结构，其中，所述壳体结构包括与第二侧相对的第一侧；

将所述导电插针的一部分放置在设置在所述壳体结构内的壳体腔内；

在与所述导电插针相邻的壳体腔内形成高介电常数、低损耗的电介质材料；以及

在所述壳体结构的表面中的至少一个上或邻近所述壳体腔形成导电材料。

10.根据权利要求9所述的形成微电子封装结构的方法，还包括将所述导电插针的悬臂梁部分物理地耦合到封装基板的第一侧，并且将所述导电插针的端子末端物理地耦合到板。

11.根据前述权利要求中任一项所述的形成微电子封装结构的方法，还包括在所述壳体结构的第一侧上形成导电材料。

12.根据前述权利要求中任一项所述的形成微电子封装结构的方法，还包括在所述壳体结构的第二侧上形成导电材料。

13.根据前述权利要求中任一项所述的形成微电子封装结构的方法，还包括其中，所述壳体结构包括高介电常数、低损耗电介质材料。

14.根据权利要求10所述的形成微电子封装结构的方法，其中，提供所述壳体结构包括提供包括用以减小所述封装结构的阻抗的高度的壳体结构。

15.根据前述权利要求中任一项所述的形成微电子封装结构的方法，其中，邻近所述壳体腔设置附加壳体腔，其中，所述附加壳体腔包括附加导电插针，并且还包括在所述壳体腔和所述附加壳体腔之间形成导电材料。

16.根据权利要求10所述的形成微电子封装结构的方法，其中，所述封装基板还包括DDR存储器，并且所述插口包括PCIe插口。