[发明专利]半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201810995183.3 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427659B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 许耀文;古明哲;杨能杰;王育文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在第一介电层内形成开口以暴露第一导电区域和第二导电区域；
在形成所述开口之后，实施衬垫去除工艺；以及
在实施所述衬垫去除工艺之后，在所述开口内施加第一处理化学物质来减小所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的表面电位差。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述开口包括通孔部分和沟槽部分。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电区域电连接至半导体衬底的有源区，并且其中，所述第二导电区域与所述有源区电隔离。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，减小所述表面电位差将所述表面电位差减小至低于所述第一导电区域的材料的氧化还原电位的值。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一导电区域的材料包括铜。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，减小所述表面电位差包括施加电导率介于0.005μS/cm和40μS/cm之间的所述第一处理化学物质。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一处理化学物质包括己烷。
8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在低k介电层内形成第一通孔开口和与所述第一通孔开口分开的第二通孔开口；
在所述低k介电层内形成第一沟槽开口，其中，形成所述第一沟槽开口将所述第一通孔开口和所述第二通孔开口延伸穿过所述低k介电层，其中，所述第一通孔开口暴露第一导电区域，所述第二通孔开口暴露第二导电区域；
在形成所述第一沟槽开口之后实施衬垫去除工艺；
在实施所述衬垫去除工艺之后，在所述第一通孔开口、所述第二通孔开口和所述第一沟槽开口内施加处理化学物质，其中，所述处理化学物质释放所述第一通孔开口、所述第二通孔开口和所述第一沟槽开口内的表面电荷来减小所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的表面电位差。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述处理化学物质包括己烷。
10.根据权利要求9所述的方法，还包括，在施加所述处理化学物质之后，清洁所述第一通孔开口、所述第二通孔开口和所述第一沟槽开口。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，清洁所述第一通孔开口、所述第二通孔开口和所述第一沟槽开口包括施加与所述处理化学物质不同的清洁液。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述清洁液包括：
氧化剂；以及
有机溶剂。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述处理化学物质包括异丙醇。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一导电区域电连接至半导体衬底的有源区，并且其中，所述第二导电区域与所述半导体衬底的有源区电隔离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
