[发明专利]一种击穿测试结构、显示面板和击穿测试方法

说明书

本发明提供了一种击穿测试结构、显示面板和击穿测试方法。所述结构包括：基底；有源层，所述有源层设置在所述基底上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅绝缘层与所述有源层边沿对应的区域为爬坡区，位于所述爬坡区内部的区域为平面区；栅极层，所述栅极层设置在所述栅绝缘层上，包括相接的第一栅部和第二栅部，所述第一栅部覆盖所述平面区，所述第二栅部覆盖所述爬坡区，所述第一栅部和/或第二栅部为镂空图案以露出所述栅绝缘层。通过本发明实施例，在测试栅绝缘层的击穿电压时，可以根据击穿位置确定平面区和爬坡区哪一个被击穿，以及哪一个先被击穿，并且可以根据击穿现象准确得知栅绝缘层的膜层状况。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种击穿测试结构、显示面板和击穿测试方法。

背景技术

近几年，随着OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)产品的发展，OLED产品的制程越来越复杂，前层工艺的好坏将直接影响后续的制程，甚至影响到整个工艺流程。在这种发展趋势下，量测每一层的工艺就显得越来越重要。

图1a和图1b示出了目前测试GI(Gate Insulation，栅绝缘层)击穿电压的结构，图1a为TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)的平面图，图1b为图1a虚线处的剖面图，在源/漏极11和栅极13上施加电压，得到栅绝缘层12的击穿电压。但是，在栅绝缘层12击穿时，不能确定是平面区121被击穿还是爬坡区122被击穿，因此栅绝缘层膜层状况的测试结果不准确。

发明内容

本发明提供一种击穿测试结构、显示面板和击穿测试方法，以解决现有测试结构对膜层状况的测试结果不准确的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种击穿测试结构，所述结构包括：

基底

有源层，所述有源层设置在所述基底上；

栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅绝缘层与所述有源层边沿对应的区域为爬坡区，位于所述爬坡区内部的区域为平面区；

栅极层，所述栅极层设置在所述栅绝缘层上，包括相接的第一栅部和第二栅部，所述第一栅部覆盖所述平面区，所述第二栅部覆盖所述爬坡区，所述第一栅部和/或第二栅部为镂空图案以露出所述栅绝缘层。

可选地，所述镂空图案为梳状图形。

可选地，第一信号传输线，与所述有源层同层设置，并与所述有源层相连；

第二信号传输线，与所述栅极层同层设置，并与所述第二栅部相连；

所述第一信号传输线和所述第二信号传输线均具有端部，并且所述第一信号传输线的端部和所述第二信号传输线的端部均露出上表面。

可选地，所述有源层和所述第一信号传输线均为掺杂有P型杂质的多晶硅层；

所述第一信号传输线中的P型杂质浓度，高于被所述栅极层覆盖的所述有源层中的P型杂质浓度。

可选地，所述栅绝缘层为氧化硅层；

所述栅极层为金属层。

本发明实施例又提供了一种显示面板，所述显示面板包括如上述的击穿测试结构。

本发明实施例还提供了一种击穿测试方法，应用于上述的击穿测试结构，所述击穿测试结构包括基底、有源层、栅绝缘层和栅极层，所述栅绝缘层包括爬坡区和平面区，所述栅极层包括第一栅部和第二栅部，所述第一栅部和/或所述第二栅部为镂空图案，所述方法包括：

在所述有源层和所述栅极层上施加电压，其中，所述电压逐渐增大；

在所述栅绝缘层被击穿时，确定击穿电压；