[发明专利]一种掩膜版有效
| 申请号: | 201810994585.1 | 申请日: | 2018-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN109062001B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
| 发明(设计)人: | 杜建华;强朝辉;王治;关峰;高宇鹏;吕杨;任庆荣;李超;王鑫 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/66 | 分类号: | G03F1/66;G03F1/42 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 掩膜版 | ||
本发明提供了一种掩膜版,涉及加工工艺技术领域。其中,所述掩膜版包括掩膜版盒,以及嵌套在掩膜版盒中的准直透镜组合板。其中,掩膜版盒包括对盒设置的掩膜图案板和第一准直透镜板,第一准直透镜板上的光线准直区域与掩膜图案板上的透光区域位置对应;准直透镜组合板上的光线准直区域可以大于掩膜图案板上的透光区域。在本发明实施例中,掩膜图案板上的透光区域与特定薄膜晶体管的图案对应,准直透镜组合板上的光线准直区域大于掩膜图案板上的透光区域,从而准直透镜组合板可以与不同掩膜图案的掩膜版盒嵌套组合,形成不同的掩膜版,进而能够对不同图案的薄膜晶体管的a‑Si进行区域化激光退火处理,提高了区域化激光退火掩膜版的通用性。
技术领域
本发明涉及加工工艺技术领域,特别是涉及一种掩膜版。
背景技术
在薄膜晶体管的加工过程中,可以采用区域化激光退火技术形成p-Si(多晶硅),具体地,首先可以通过激光器发出激光光束,进而该激光光束可以通过掩膜版,选择性地对薄膜晶体管沟道区域的a-Si(非晶硅)进行高位置精度的激光退火处理,使其晶化形成p-Si(多晶硅),该技术又被成为PLAS(Partial Laser Anneal Silicon)或SLA(SelectiveLaser-Annealing)。
然而,目前的区域化激光退火掩膜版,通常是针对特定显示面板薄膜晶体管图案进行设计,因此难以适用于不同薄膜晶体管图案的加工,通用性较差。
发明内容
本发明提供一种掩膜版,以解决现有的区域化激光退火掩膜版通用性差的问题。
为了解决上述问题,本发明公开了一种掩膜版,包括掩膜版盒,以及嵌套在所述掩膜版盒中的准直透镜组合板;
所述掩膜版盒包括对盒设置的掩膜图案板和第一准直透镜板;所述第一准直透镜板上的光线准直区域与所述掩膜图案板上的透光区域位置对应;
所述准直透镜组合板上的光线准直区域大于所述掩膜图案板上的透光区域。
可选地,所述准直透镜组合板包括层叠设置的至少两个第二准直透镜板,每个所述第二准直透镜板均包括阵列排布的多个第一菲涅尔透镜区域。
可选地,所述第一菲涅尔透镜区域的入光面为平面,所述第一菲涅尔透镜区域的出光面形成有多个同心圆环型突起部。
可选地,所述第一准直透镜板包括多个第二菲涅尔透镜区域,所述多个第二菲涅尔透镜区域与所述掩膜图案板上的透光区域位置对应。
可选地,所述第二菲涅尔透镜区域的入光面为平面,所述第二菲涅尔透镜区域的出光面形成有多个同心圆环型突起部。
可选地,所述同心圆环型突起部的宽度r满足下述公式(1);
r=H/tanα (1)
在上述公式(1)中,所述H为所述同心圆环型突起部的高度,所述α为所述同心圆环型突起部的出光面与入光面之间的夹角。
可选地,所述第一菲涅尔透镜区域的直径大于或等于2微米,且小于或等于6微米。
可选地,所述第一准直透镜板的材料包括玻璃、树脂或塑料。
可选地,所述第二准直透镜板的材料包括玻璃、树脂或塑料。
可选地,所述掩膜图案板包括石英衬底,以及形成在所述石英衬底上的金属铬阻光层。
与现有技术相比,本发明包括以下优点:
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