[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

在半导体装置的形成方法中，形成第一光刻胶层于具有多个下方结构的基板上。以射线曝光第一光刻胶层。以显影溶液显影曝光的第一光刻胶层。形成平坦化层于显影的第一光刻胶层上。下方结构包括多个凹陷部分，且凹陷部分的一部分未填有显影的第一光刻胶层。

技术领域

本发明实施例关于半导体集成电路的形成方法，更特别关于使不平坦的图案平坦化的方法。

背景技术

半导体产业进展至纳米技术制程节点，以求更高的装置密度、更高效能、与更低成本时，来自制作与设计的挑战也变得更大。微影步骤为半导体制程中的关键步骤之一。在微影步骤中，下方结构是否平坦很重要，因为微影步骤中的聚焦容忍度很小。综上所述，必需使不平坦的下方结构平坦化。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：形成第一光刻胶层(photoresist layer，光阻层)于具有多个下方结构的基板上；以射线曝光第一光刻胶层；以显影溶液显影曝光的第一光刻胶层；以及形成平坦化层于显影的第一光刻胶层上，其中下方结构包括多个凹陷部分，以及凹陷部分的部分未填有显影的第一光刻胶层。

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：形成光刻胶层于具有目标区的基板上，且目标区具有多个下方结构；以射线曝光光刻胶层；以显影溶液显影曝光的光刻胶层；形成平坦化层于显影的光刻胶层上，其中下方结构包括多个凹陷部分；显影的光刻胶层的顶部高于下方结构的顶部；以及目标区中的显影的光刻胶层具有体积Ve，形成光刻胶层之前的目标区中的凹陷部分具有体积Vi，且0.9ViVe1.1Vi。

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：以第一图案化步骤形成多个下方结构，且第一图案化步骤包括采用第一光罩(掩模)的微影步骤与蚀刻步骤；形成光刻胶层于下方结构上；以第二图案化步骤形成多个第一平坦化图案于光刻胶层上，且第二图案化步骤包括采用第二光罩的微影步骤；以及形成第二平坦化层于第一平坦化图案上，其中第二平坦化层的组成为有机材料，以及基板上相关的区域中的第二光罩的不透明区比例，随着相关的区域中的第一光罩的不透明区比例而改变。

附图说明

图1A、图1B、图1C、图1D、与图1E是本发明实施例中，依序形成半导体装置的制程的多种阶段的剖视图。

图2A与图2B是本发明实施例中，依序形成半导体装置的制程的多种阶段的平面图。

图3A与图3B是本发明实施例中，依序形成半导体装置的制程的多种阶段的平面图。

图4A与图4B是本发明实施例中，依序形成半导体装置的制程的多种阶段的平面图。

图5A与图5B是本发明实施例中，依序形成半导体装置的制程的多种阶段的平面图。

图6A、图6B、与图6C是本发明实施例中，依序形成半导体装置的制程的多种阶段的剖视图。

图7A是本发明实施例的图案密度图。

图7B是本发明实施例的虚置图案图。

附图标记说明：

A1 第一区

A2 第二区

A3 第三区

A4 第四区

A5 第五区

D1 深度

L1、L2 宽度

T1、T2、T3、T4 厚度

10 下方层