[发明专利]一种扑草净分子印迹传感器的制备方法

权利要求书

1.一种扑草净分子印迹传感器的制备方法，特征在于，该方法具有以下工艺步骤：

(1)纳米银/氧化石墨烯修饰液制备：在反应器中，按如下组成质量比加入，质量百分浓度为5％的氨水溶液：85～92％，硝酸银：1.0～3.0％，氧化石墨烯：2～6％，室温下超声30min，分散均匀，再加入葡萄糖：2～7％，各组分含量之和为百分之百，室温，搅拌反应20min，得到纳米银/氧化石墨烯修饰液；

(2)纳米银/氧化石墨烯修饰电极制备：将玻碳电极依次用0.3μm、0.01μm抛光粉进行表面抛光，然后分别用二次蒸馏水超声清洗，乙醇洗涤，吹干，将15～18μL纳米银/氧化石墨烯修饰液滴涂在玻碳电极表面，取出置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得纳米银/氧化石墨烯修饰电极；

(3)扑草净分子印迹聚合物的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，乙醇：76～82％，N-烯丙基-2-氨甲基吡咯烷：8～12％，4-氨基吡啶：4～8％，扑草净：2～5％，二异氰酸酯：0.5～1.5％，偶氮二异丁腈：0.5～1.5％，各组分含量之和为百分之百，搅拌溶解，通氮气除氧15min，无氧氛围，55±2℃搅拌反应10～12h，将得到的产物用乙醇：乙酸体积比为8:1混合溶液浸泡8h，多次洗涤，除去模板分子，干燥，即得扑草净分子印迹聚合物；

(4)扑草净分子印迹传感器的制备：取适量的扑草净分子印迹聚合物分散于1％的壳聚糖乙酸溶液中，制得20g/L的扑草净分子印迹聚合物溶液；然后将上述溶液15～18μL滴加到步骤(2)制备的纳米银/氧化石墨烯修饰电极，置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得扑草净分子印迹传感器。

2.根据权利要求1所述的一种扑草净分子印迹传感器的制备方法，特征在于，在步骤(1)中所述的硝酸银与氧化石墨烯的质量比为1：2～2.2之间。

3.根据权利要求1所述的一种扑草净分子印迹传感器的制备方法，特征在于，在步骤(1)中所述的硝酸银与葡萄糖的质量比为1：2.5～3.0之间。

4.根据权利要求1所述的一种扑草净分子印迹传感器的制备方法，特征在于，在步骤(3)中所述的N-烯丙基-2-氨甲基吡咯烷与4-氨基吡啶的摩尔为1：1。