[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

说明书

通过将疏水剂的液体供给至基板(W)的表面而形成覆盖基板(W)的整个表面的疏水剂的液膜。之后，一面维持基板(W)的整个表面由疏水剂的液膜覆盖着的状态一面使基板(W)上的疏水剂的液量减少。之后，在基板(W)上的疏水剂的液量已减少的状态下，将第1有机溶剂的液体供给至由疏水剂的液膜覆盖着的基板(W)的表面，由此以第1有机溶剂的液体来置换基板(W)上的疏水剂的液体。之后，使基板(W)干燥。

技术领域

本发明涉及一种处理基板的基板处理方法及基板处理装置。在作为处理对象的基板中，例如，包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板、有机电致发光(electroluminescence，EL)显示装置等平板显示器(Flat Panel Display，FPD)用基板等。

背景技术

在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中，会使用对半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。美国专利公开号US2009/0311874A1的各实施方式中揭示有：为了防止图案的倒塌而将斥水性保护膜形成在基板的表面。

例如，在US 2009/0311874 A1的第2实施方式中揭示了使用单片式的基板处理装置的基板的处理。在所述处理中，将硫酸过氧化氢混合液(Sulfuric Acid HydrogenPeroxide Mixture，SPM)等药液、纯水、异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)等醇、硅烷偶联剂、IPA等醇及纯水依此顺序供给至基板。之后，进行甩去基板表面残留的纯水而使基板干燥的旋干(spin dry)处理。在基板干燥后，因硅烷偶联剂的供给而形成在基板的表面上的斥水性保护膜通过干法灰化(dry ashing)或臭氧处理等灰化处理而自基板去除。

根据本发明人等的研究可知：在像US 2009/0311874 A1的第2实施方式那样将硅烷偶联剂等疏水剂供给至基板，之后以IPA等醇置换基板上的疏水剂的处理中，极小的颗粒大幅增加。在要求更高的清洁度的情况下，即使是如此小的颗粒也不可忽视。

发明内容

本发明的一实施方式提供一种基板处理方法，包括：疏水剂供给工序，通过将使形成有图案的基板的表面疏水化的疏水剂的液体供给至所述基板的表面而形成覆盖所述基板的整个表面的所述疏水剂的液膜；液量减少工序，在所述疏水剂供给工序之后，一面维持所述基板的整个表面由所述疏水剂的液膜覆盖着的状态，一面使所述基板上的所述疏水剂的液量减少；第1有机溶剂供给工序，在所述液量减少工序之后，在所述基板上的所述疏水剂的液量已减少的状态下，将第1有机溶剂的液体供给至由所述疏水剂的液膜覆盖着的所述基板的表面，由此以所述第1有机溶剂的液体来置换所述基板上的所述疏水剂的液体；以及干燥工序，在所述第1有机溶剂供给工序之后，使所述基板干燥。

根据所述方法，形成覆盖形成有图案的基板的整个表面的疏水剂的液膜。之后，一面维持所述状态一面使基板上的疏水剂的液量减少。并且，在基板上的疏水剂的液量已减少的状态下，将第1有机溶剂供给至由疏水剂的液膜覆盖着的基板的表面，以第1有机溶剂来置换基板上的疏水剂。因第1有机溶剂具有亲水基及疏水基这两者，所以基板上的疏水剂被置换为第1有机溶剂。之后，使基板干燥。

因在使基板干燥之前已将疏水剂供给至基板，所以可使在基板的干燥过程中自液体施加至图案的力下降。由此，可使图案的倒塌率下降。进而，因在将第1有机溶剂供给至基板之前已使基板上的疏水剂的液量减少，所以可减少因第1有机溶剂与疏水剂的反应而产生的颗粒的数量。由此，可减少干燥后的基板上残留的颗粒的数量，并可提高干燥后的基板的清洁度。

在所述实施方式中也可以将以下特征中的至少一个添加至所述基板处理方法。

所述第1有机溶剂供给工序是在所述液量减少工序之后，在所述基板上的所述疏水剂的液量已减少的状态下，将被预先加热至高于室温的温度并且表面张力低于水的所述第1有机溶剂的液体供给至由所述疏水剂的液膜覆盖着的所述基板的表面，由此以所述第1有机溶剂的液体来置换所述基板上的所述疏水剂的液体的工序。