[发明专利]半导体装置的封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的封装结构，其特征在于，该封装结构的每一单位包括：

一第一导电层，具有相对设置的一第一表面与一第二表面；

一第二导电层，位于该第一导电层的第一表面下方，且具有相对设置的一第一表面与一第二表面；

一第一晶粒，具有相对设置的一主动面与一背面，其主动面具有多个金属衬垫，并且该第一晶粒以其背面接置于该第一导电层的第一表面；

一第二晶粒，具有相对设置的一主动面与一背面，其主动面具有多个金属衬垫，并且该第二晶粒以其背面接置于该第一导电层的第二表面；

多个第一盲孔柱，设置于该第二导电层与该第一晶粒的对应金属衬垫之间，以传递该第一晶粒的信号；以及

一导电结构，电性连接该第一导电层与该第二晶粒的对应金属衬垫，以传递该第二晶粒的信号；

其中该第一导电层与该第二导电层分别具有预定的线路布局图案，并且这些第一导电层、第二导电层、第一晶粒、第二晶粒、第一盲孔柱与导电结构包覆于一介电材料内。

2.如权利要求1所述的半导体装置的封装结构，其特征在于，还包括一第一贴附层与一第二贴附层， 该第一晶粒与该第二晶粒分别通过该第一贴附层与该第二贴附层而分别接置于该第一导电层的第一表面与第二表面。

3.如权利要求1所述的半导体装置的封装结构，其特征在于，该第二晶粒的主动面还具有一感测区域，该介电材料对应于该感测区域的部分选择性的具有一开口，以暴露出该感测区域。

4.如权利要求1所述的半导体装置的封装结构，其特征在于，还包括多个第一层间柱，其设置于该第一导电层与该第二导电层之间，以传递该第一导电层与该第二导电层之间的信号。

5.如权利要求1所述的半导体装置的封装结构，其特征在于，还包括多个导电柱，其设置于该第二导电层的第一表面，并且分别连接于多个对应的外部导电凸块。

6.如权利要求5所述的半导体装置的封装结构，其特征在于，这些外部导电凸块分别具有延伸部分，这些延伸部分选择性的置换这些导电柱。

7.如权利要求1所述的半导体装置的封装结构，其特征在于，该导电结构包括多个第二层间柱、一第三导电层及多个第二盲孔柱而构成一重布层线路，以传递该第二晶粒的信号。

8.如权利要求7所述的半导体装置的封装结构，其特征在于，该第三导电层位于该第一导电层与该第二晶粒的主动面的上方，这些第二层间柱设置于该第三导电层与该第一导电层之间，并且这些第二盲孔柱设置于该第三导电层与该第二晶粒的对应金属衬垫之间。

9.如权利要求1所述的半导体装置的封装结构，其特征在于，该导电结构包括多个导线，各导线的一端接合于该第一导电层的第二表面，并且其另一端接合于与该第二晶粒的对应金属衬垫，以传递该第二晶粒的信号。