[发明专利]一种纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810988633.6 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109437328A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 卢锡洪;卢永状;周丽君;徐维 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;H01M4/52;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人： | 吴伟文 |
| 地址： | 529020 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米级 四氧化三钴 短棒状 电极材料 电极 氢氧化钴 制备 煅烧 制备技术领域 循环稳定性 乙二醇溶液 储能材料 空气氛围 水热法制 水热反应 水热还原 循环寿命 晾干 比容量 高活性 盐溶液 钴电极 钴离子 基底 水热 碳布 | ||
1.一种纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料的制备方法,其特征在于，包括以下步骤：S1、以碳布为基底，在含有钴离子的盐溶液中进行水热反应，得到纳米级氢氧化钴负载于碳布上；S2、将前述得到的纳米级氢氧化钴晾干后，于空气氛围下煅烧，得到纳米级四氧化三钴负载于碳布上；S3、将前述得到的纳米级四氧化三钴于乙二醇溶液中进行水热还原，得到引入大量氧空位的纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料。
2.根据权利要求1所述的一种纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述盐溶液为钴盐、铵盐和尿素的混合水溶液。
3.根据权利要求2所述的一种纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述混合水溶液中的钴盐为氯化钴、硝酸钴、醋酸钴和硫酸钴中的一种。
4.根据权利要求3所述的一种纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述混合水溶液中钴盐的浓度为0.02-0.5mol L-1。
5.根据权利要求2所述的一种纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述混合水溶液中的铵盐为氯化铵、氟化铵、硝酸铵和醋酸铵中的一种。
6.根据权利要求5所述的一种纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述混合水溶液中铵盐的浓度为0.08-2mol L-1。
7.根据权利要求2所述的一种纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述混合水溶液中尿素的浓度为0.2-5mol L-1。
8.根据权利要求1所述的一种纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述水热法的温度与时间分别为80-180℃和4-10h。
9.根据权利要求1所述的一种纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，所述煅烧步骤的温度与时间分别为290-500℃和1-4h。
10.根据权利要求1所述的一种纳米级短棒状多孔四氧化三钴电极材料的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，所述进行水热还原的温度和时间分别为150-300℃和6-48h。
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