[发明专利]沟槽的填充方法有效
| 申请号： | 201810987735.6 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110867408B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 杨军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 填充 方法 | ||
1.一种沟槽的填充方法，包括：
提供一具有沟槽的衬底；
采用第一PECVD工艺沉积形成第一氧化物层于所述衬底表面及所述沟槽的底部和侧壁上，所述第一PECVD工艺的反应原料为硅烷与含氧气体，所述第一氧化物层为二氧化硅氧化层；
采用第二PECVD工艺沉积形成第二氧化物层于所述第一氧化物层上，所述第二PECVD工艺中的反应原料为正硅酸乙酯和氧气，所述第二氧化物层为二氧化硅氧化层；
沿垂直于所述衬底的方向进行蚀刻以除去所述衬底表面及所述沟槽底部的第二氧化物层，保留所述沟槽侧壁的第二氧化物层；
采用SACVD工艺沉积形成第三氧化物层，以填满所述沟槽；所述SACVD工艺中的反应原料为正硅酸乙酯和臭氧；所述SACVD工艺中，所述臭氧和正硅酸乙酯的气体体积流量比为(4～30):1；
其中，所述SACVD工艺中，所述第三氧化层在所述沟槽底部的沉积速率大于在所述沟槽侧壁的沉积速率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SACVD工艺中，所述第三氧化物层在所述沟槽底部的沉积速率与所述沟槽侧壁的沉积速率的比例为(1.2～4):1。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一PECVD工艺中，所述含氧气体选自一氧化二氮和/或氧气，所述含氧气体与硅烷的气体体积流量比为(10～50):1。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二PECVD工艺中，所述氧气和正硅酸乙酯的气体体积流量比为(0.5～6):1。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SACVD工艺中，所述臭氧的气体流量为15000～35000sccm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化物层的台阶覆盖率为20％～50％，所述第二氧化物层的台阶覆盖率为60％～80％。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保留沟槽侧壁的第二氧化物 层的厚度为3～30nm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一PECVD工艺中，反应压力为5～10torr，反应温度为250～400℃，沉积速率为
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二PECVD工艺中，反应压力为5～15torr，反应温度为250～400℃，沉积速率为
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SACVD工艺中，反应压力为500～700torr，反应温度为400～600℃。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比为1～7。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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