[发明专利]一种高灵敏度传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810986430.3 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109270126A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 陶晓彦 | 申请（专利权）人： | 安徽康佳同创电器有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 239001 安徽省滁州*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结体 高灵敏度传感器 气敏材料 涂覆 阵列碳纳米管膜 基片表面 制备柱 制备 碳纳米管膜 提升传感器 表面生长 常规工艺 烧结处理 碳纳米管 柱状阵列 加热丝 灵敏度 旁热式 放入 封装 焊接 老化 | ||
1.一种高灵敏度传感器的制备方法，其特征在于，包括步骤：
将烧结体基片放入石英管中，以酞菁铁作为碳源和催化剂，在氩气和氢气的流动气氛中进行加热处理，得到表面生长有柱状阵列碳纳米管膜的烧结体基片；
将预先配制的气敏材料涂覆在所述表面生长有柱状阵列碳纳米管膜的烧结体基片上，进行烧结处理，得到气敏烧结体；
将加热丝放入所述气敏烧结体中，按照旁热式器件常规工艺进行焊接、封装、电老化，制成高灵敏度传感器。
2.根据权利要求1所述高灵敏度传感器的制备方法，其特征在于，所述氩气和氢气的体积比为1:1。
3.根据权利要求1所述高灵敏度传感器的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为800-1000℃，加热时间为10-20min。
4.根据权利要求1所述高灵敏度传感器的制备方法，其特征在于，所述烧结体基片表面生长的柱状阵列碳纳米管膜中，每根碳纳米管的直径为30-50nm。
5.根据权利要求1所述高灵敏度传感器的制备方法，其特征在于，所述烧结体基片表面生长的柱状阵列碳纳米管膜中，若干根碳纳米管成束状堆积，每束碳管的直径为3-6μm，相邻碳管束间的距离为2-35μm。
6.根据权利要求5所述高灵敏度传感器的制备方法，其特征在于，所述烧结体基片表面生长的柱状阵列碳纳米管膜中，每束碳管的高度为14-18μm。
7.根据权利要求1所述高灵敏度传感器的制备方法，其特征在于，所述气敏材料为SnO2、ZnO、Fe2O3和ZrO2中的一种。
8.根据权利要求7所述高灵敏度传感器的制备方法，其特征在于，所述气敏材料中掺杂有Pt或Pd中的一种或两种。
9.根据权利要求1所述高灵敏度传感器的制备方法，其特征在于，所述烧结处理的温度为500-700℃。
10.一种高灵敏度传感器，其特征在于，采用权利要求1-9任一所述的方法制备而成。
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