[发明专利]母版光栅制作方法在审
申请号: | 201810986362.0 | 申请日: | 2018-08-28 |
公开(公告)号: | CN109116456A | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 李广伟;陈怀熹;冯新凯;古克义;梁万国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18;G03F7/40;G03F7/42 |
代理公司: | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人: | 胡璇 |
地址: | 350002 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 母版 光刻胶光栅 光栅制作 光栅 刻蚀设备 光刻法 镀膜 刻蚀 制作 | ||
1.一种母版光栅制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
采用光刻法以母版基片为原料制作光刻胶光栅,对所得光刻胶光栅进行镀膜操作,得到所述母版光栅。
2.根据权利要求1所述的母版光栅制作方法,其特征在于,所述母版基片的基片材料为玻璃材料;
优选的,所述光刻法包括以下步骤:依序对母版基片进行涂覆光刻胶操作、紫外曝光操作和显影;
优选的,还包括对所述母版基片进行清洗操作,所述清洗操作为超声波清洗;
优选的,所述镀膜操作为依序在所述母版基片表面镀上至少一层金属膜和至少一层非金属膜。
3.根据权利要求2所述的母版光栅制作方法,其特征在于,所述母版光栅制作方法还包括:在所述涂覆光刻胶操作前依序对所述母版基片进行第一等离子处理和涂覆增粘剂操作。
4.根据权利要求3所述的母版光栅制作方法,其特征在于,所述第一等离子处理为等离子轰击处理;
所述第一等离子处理条件为:工作气体为氧气和/或氩气,所述工作气体流量为5-30sccm,功率为100-300W,处理时间为10-30分钟。
5.根据权利要求2所述的母版光栅制作方法,其特征在于,所述涂覆增粘剂操作包括用稀释剂稀释增粘剂的操作,所述增粘剂为六甲基二硅胺烷,所述稀释剂为丙二醇甲醚醋酸酯,所述增粘剂与所述稀释剂按体积比1:2~1:4进行稀释。
6.根据权利要求2所述的母版光栅制作方法,其特征在于,所述超声波清洗包括以下步骤:
1)将所述母版基片浸入第一清洗液中,进行第一超声清洗处理;
2)将完成所述第一超声清洗处理后的所述母版基片浸入所述第二清洗液中,进行第二超声清洗处理;
3)将完成所述第二超声清洗处理的所述母版基片依序分别浸入酒精和蒸馏水中,进行第三超声清洗处理。
7.根据权利要求6所述的母版光栅制作方法,其特征在于,所述步骤1)中第一超声清洗液由NH4OH和H2O按体积比为1:2~1:5混合而成;所述步骤2)中第二超声清洗液由HCl和H2O按体积比为1:4~1:8混合而成;
优选地,所述步骤1)中第一超声清洗液由NH4OH和H2O按体积比为1:3混合而成;
优选地,所述步骤2)中第二超声清洗液由HCl和H2O按体积比为1:5混合而成。
8.根据权利要求2所述的母版光栅制作方法,其特征在于,所述母版光栅制作方法还包括:在所述显影操作后对所述母版基片进行第二等离子处理。
9.根据权利要求8所述的母版光栅制作方法,其特征在于,所述第二等离子处理包括以下步骤:
1)进行预等离子处理,所述预等离子处理条件:工作气体为氧气,所述工作气体流量为10-30sccm,功率为100-200W;处理时间1-2分钟;
2)进行再等离子处理,所述再等离子处理条件:工作气体为氩气,所述工作气体流量为10-20sccm,功率为100-300W;处理时间为1-2分钟。
10.根据权利要求2所述的母版光栅制作方法,其特征在于,所述金属膜为Cr膜;所述非金属膜为SiO2膜;所述金属膜厚度为10-50nm;所述非金属膜厚度为30-100nm。
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