[发明专利]一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法

权利要求书

1.一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法，依次包括下述步骤：

步骤1)：将连续探测激光垂直照射到被测半导体样品表面，近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S₀；

步骤2)：将聚焦后的连续泵浦激光垂直照射到样品探测光照射区域中心位置，近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S₁，所述的入射到样品表面的探测激光光束尺寸大于聚焦到样品表面的泵浦激光光束尺寸；

步骤3)：处理步骤1)和步骤2)得到的透射探测光强空间分布成像结果S₀和S₁，即S＝(S₁-S₀)/S₀，得到过剩自由载流子吸收成像结果；

步骤4)：沿自由载流子吸收成像结果峰值位置截取距离峰值不同距离的测量数据，利用多参数拟合程序对截取的测量数据进行处理或将处理后的数据与定标样品的信号数据比较，得到待测样品的多个特性参数；

所述的探测激光的光子能量小于被测半导体的本征半导体禁带宽度；

所述的泵浦激光的光子能量大于被测半导体的本征半导体禁带宽度。

2.如权利要求1所述的一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法，其特征在于：所述连续探测激光由半导体激光器、固体激光器或气体激光器产生；所述的连续泵浦激光由半导体激光器或固体激光器或气体激光器产生。

3.如权利要求1或2所述的一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法，其特征在于：所述的近红外相机前设置带通滤光片，用于滤除透过样品的光载流子辐射光和背景杂散光。