[发明专利]一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法

权利要求书

1.一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）选用P型多晶金刚线硅片，用有机碱溶液和水依次进行清洗，烘干；

2）在硅片背面和四周镀上SiON：H膜：使用低压管式PECVD设备进行镀膜，硅烷流量为500-2000sccm，氨气流量为1000-5000sccm，笑气流量为2000-7000sccm，沉积压力为1300-1800 mTorr，沉积总时间为45-90min；SiON：H膜的膜厚为100-150nm，折射率为1.85-2.2；

3）在硅片正面制作黑硅绒面；制绒后硅片背面的SiON：H膜的厚度为5-50nm；

4）对硅片正面进行扩散，在正面形成PN结；

5）用酸溶液酸洗去除硅片正面的磷硅玻璃以及腐蚀硅片背面、四周的SiON：H膜，然后水洗、烘干；

6）在黑硅绒面镀减反射薄膜，硅片背面不镀减反射薄膜；

7）在硅片正面印刷正电极；

8）在硅片背面印刷背电极，烧结，制得成品。

2.如权利要求1所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述有机碱溶液为体积浓度5-20%的为四甲基氢氧化铵溶液，清洗温度为常温，清洗时间为150-300s，清洗完成后硅片正反面反射率为45-60%。

3.如权利要求1所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤3）中，采用链式黑硅设备制作绒面，制绒后绒面大小为500-900nm，反射率为18-23%。

4.如权利要求1所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤4）中，扩散后，方阻为90-100欧/□。

5.如权利要求1所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤5）中，采用链式去磷硅玻璃设备去除磷硅玻璃，所述酸溶液为浓度为10-15wt%的氢氟酸溶液，酸洗时间为150-200s，温度为60-90℃，烘干后硅片背面反射率为45-60%。

6.如权利要求1所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤8）中，在背面印刷背电极时，采用的浆料组分包括：

铝粉55-80wt%，

无铅玻璃粉0.5-3.0wt%，

有机载体10-25wt%，

溶剂5-18wt%，

助剂0.1-2.0wt%。

7.如权利要求6所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，所述铝粉为球形，纯度大于99.8%，粒径为0.5-2.0µm，其中0.5-1.0µm粒径的铝粉占总重量的5-20%，1.0-1.5µm粒径的铝粉占总重量的20-60%，1.5-2.0µm粒径的铝粉占总重量的20-40%。

8.如权利要求6所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，所述无铅玻璃粉的组成：氧化铋15-45wt%，氧化硼5-30wt%，氧化硅 15-35wt%，氧化锌5-25wt%，氧化钙1-20wt%，氧化锡1-15wt%；其中，无铅玻璃粉的中值粒径2 µm，最大粒径5 µm，软化温度为450-600℃。

9.如权利要求6所述的一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，其特征在于，所述有机载体为乙基纤维素、丙烯酸树脂、醇酸树脂中的一种；溶剂为松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯中的一种；助剂为邻苯二甲酸酯。